Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置とその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
| 竹内 辰也 | |
| 1994-09-30 | |
| 专利权人 | 富士通株式会社 |
| 公开日期 | 1994-09-30 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 Feドープの高抵抗(率)埋込み層を有するIII-V族化合物半導体レーザ装置に関し、メサ側面を十分な高抵抗埋込み層で埋込んだ半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 【構成】 (100)面III-V族化合物半導体基板上にメサストライプを形成する工程と、前記メサストライプ側面をGaInPまたはAlInAsを主成分とするFeドープの半導体高抵抗層で埋込み、かつメサストライプ近傍の埋込み成長面の変化に従ってFeドーパント量を変化させる埋込み成長工程とを含む。 |
| 其他摘要 | 用途：通过用Fe掺杂的半导体高电阻层掩埋台面条的侧面，用足够高的电阻掩埋层掩埋台面条的侧面，其主要成分是GaInP或Al油墨，并改变Fe掺杂剂的量响应于台面条纹附近的掩埋生长平面的变化。组成：长边在（011）方向的台面条10a形成在设有（100）平面的n型InP基板11a上。对于台面条10a，通过外延生长在衬底11a上形成n型InGaAsP引导层12a，并且在层12a上形成未掺杂的InGaAsP激活层13a。在激活层13a上形成p型InP包层14a和p型InGaAsP接触层17a。台面条10a的侧面由三种Fe掺杂的高电阻InP掩埋层1,2和3掩埋。高阻抗InP掩埋层1,2和3允许在当时不同地围绕平面通过增长的平面取向进行生长和掺杂。 |
| 申请日期 | 1993-03-19 |
| 专利号 | JP1994275911A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993060596 |
| 公开（公告）号 | JP1994275911A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 高橋 敬四郎 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75635 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹内 辰也. 半導体レーザ装置とその製造方法. JP1994275911A[P]. 1994-09-30. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1994275911A.PDF（77KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [竹内 辰也]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [竹内 辰也]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [竹内 辰也]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论