Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半導体レーザ装置とその製造方法 | |
其他题名 | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
竹内 辰也 | |
1994-09-30 | |
专利权人 | 富士通株式会社 |
公开日期 | 1994-09-30 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 【目的】 Feドープの高抵抗(率)埋込み層を有するIII-V族化合物半導体レーザ装置に関し、メサ側面を十分な高抵抗埋込み層で埋込んだ半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 【構成】 (100)面III-V族化合物半導体基板上にメサストライプを形成する工程と、前記メサストライプ側面をGaInPまたはAlInAsを主成分とするFeドープの半導体高抵抗層で埋込み、かつメサストライプ近傍の埋込み成長面の変化に従ってFeドーパント量を変化させる埋込み成長工程とを含む。 |
其他摘要 | 用途:通过用Fe掺杂的半导体高电阻层掩埋台面条的侧面,用足够高的电阻掩埋层掩埋台面条的侧面,其主要成分是GaInP或Al油墨,并改变Fe掺杂剂的量响应于台面条纹附近的掩埋生长平面的变化。组成:长边在(011)方向的台面条10a形成在设有(100)平面的n型InP基板11a上。对于台面条10a,通过外延生长在衬底11a上形成n型InGaAsP引导层12a,并且在层12a上形成未掺杂的InGaAsP激活层13a。在激活层13a上形成p型InP包层14a和p型InGaAsP接触层17a。台面条10a的侧面由三种Fe掺杂的高电阻InP掩埋层1,2和3掩埋。高阻抗InP掩埋层1,2和3允许在当时不同地围绕平面通过增长的平面取向进行生长和掺杂。 |
申请日期 | 1993-03-19 |
专利号 | JP1994275911A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1993060596 |
公开(公告)号 | JP1994275911A |
IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
专利代理人 | 高橋 敬四郎 |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75635 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 富士通株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹内 辰也. 半導体レーザ装置とその製造方法. JP1994275911A[P]. 1994-09-30. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1994275911A.PDF(77KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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