Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 小沢 正文; 樋江井 太 | |
| 2003-09-12 | |
| 专利权人 | ソニー株式会社 |
| 公开日期 | 2003-11-25 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】 反射率制御膜による光吸収が極めて少なく、したがってこの光吸収による発熱も極めて少ないことにより特性や信頼性が良好なII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 少なくとも発光部にII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、少なくとも一層のII-VI族化合物半導体膜を含む反射率制御膜を光出射面に設ける。反射率制御膜は、誘電体膜とII-VI族化合物半導体膜との多層膜または一層のII-VI族化合物半導体膜からなる。II-VI族化合物半導体膜としてはZnSe膜、ZnS膜、CdS膜などを用い、誘電体膜としてはSiO2 膜、Al2 O3 膜、MgO膜、NaF膜、CaF2 膜、MgF2 膜などを用いる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过在发光部分中设置控制膜，减少包含至少一个II-VI化合物半导体膜的反射率控制膜的光吸收量，从而抑制来自半导体发光元件的热量的产生在元件的发光表面上。解决方案：反射率控制膜由多层膜构成，该多层膜由介电膜和II-VI化合物半导体膜组成。介电膜由SiO 2，Al 2 O 3等制成，具有低折射率并分别形成涂层材料1,5和7.II-VI化合物半导体膜由ZnSe等制成，具有高折射率为了尽可能地减少多层薄膜的层压周期并获得高反射率，使用具有高折射率的材料，并且分别形成涂层材料2,4和6。因此，通过防止反射率控制膜的无用光吸收来抑制由吸收的光引起的发热，从而改善半导体发光元件的特性和可靠性。 |
| 申请日期 | 1995-11-02 |
| 专利号 | JP3470476B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1995310078 |
| 公开（公告）号 | JP3470476B2 |
| IPC 分类号 | H01L | H01S | H01L33/60 | H01S5/327 | H01L33/06 | H01S5/028 | H01L33/14 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01L33/44 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 杉浦 正知 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75611 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小沢 正文,樋江井 太. 半導体発光素子. JP3470476B2[P]. 2003-09-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3470476B2.PDF（71KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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