Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 窒化物半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 妹尾 雅之; 山田 孝夫; 中村 修二 | |
| 2004-02-20 | |
| 专利权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 公开日期 | 2004-04-26 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 窒化物半導体を用いてレーザ素子を実現するにあたり、まず反射鏡となる適切な光共振面を形成することにより、レーザ発振が可能となるレーザ素子を提供する。 【構成】 基板上に窒化物半導体(InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)が積層されてなるレーザ素子であって、そのレーザ素子の光共振面の少なくとも一方に誘電体多層膜が形成されていることにより、光共振面の反射率を高めレーザ発振させる。 |
| 其他摘要 | 目的：通过形成具有与氮化物半导体表面上的振荡波长相对应的反射系数的电介质多层膜，形成转向反射镜的合适的光学共振表面，转向光学共振表面。组成：通过层压由GaN组成的缓冲层2，N型接触层3，N型覆层4，第二N型覆层5，未掺杂的有源层6，P形成双异质结构在蓝宝石衬底1的[0001]面上的类型的包覆层7和P型接触层8.条形的正电极12形成在P型接触层8的表面上，并且负电极在N型接触层3的表面上形成图11所示的结构。在氮化物半导体（Inx Aly Ga1-xy，0 <= x，0 <= y，x + y）上交替层叠相应的10层SiO2和TiO2。 <= 1）表面和蓝宝石衬底，以形成电介质多层膜20.电介质多层膜20形成在氮化物半导体层的相对表面上，反射从有源层发射的光，并用作完美的光学谐振表面。 |
| 申请日期 | 1995-01-12 |
| 专利号 | JP3523700B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1995003033 |
| 公开（公告）号 | JP3523700B2 |
| IPC 分类号 | H01S5/30 | H01L | H01S | H01S5/323 | H01L33/12 | H01L33/16 | H01S5/042 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L33/20 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 青山 葆 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75604 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 妹尾 雅之,山田 孝夫,中村 修二. 窒化物半導体レーザ素子. JP3523700B2[P]. 2004-02-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3523700B2.PDF（359KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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