Quantum thin line producing method and semiconductor device

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	Quantum thin line producing method and semiconductor device
其他题名	Quantum thin line producing method and semiconductor device
	FUKUSHIMA, YASUMORI; UEDA, TOHRU; KAMIMURA, KUNIO
	2002-02-12
专利权人	SHARP KABUSHIKI KAISHA
公开日期	2002-02-12
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A nanometer-size quantum thin line is formed on a semiconductor substrate of a Si substrate or the like by means of the general film forming technique, lithographic technique and etching technique. By opportunely using the conventional film forming technique, photolithographic technique and etching technique, a second oxide film that extends in the perpendicular direction is formed on an Si substrate. Then, by removing the second oxide film that extends in the perpendicular direction, a second nitride film located below the film and a first oxide film located below the film by etching, a groove for exposing the Si substrate is formed. Then, a Si thin line is made to epitaxially grow on the exposed portion of the Si substrate. The quantum thin line is thus formed without using any special fine processing technique. The width of the groove can be accurately controlled in nanometers by controlling the film thickness of the second oxide film that is formed by oxidizing the surface of the second nitride film.
其他摘要	通过一般的成膜技术，光刻技术和蚀刻技术在Si衬底等的半导体衬底上形成纳米尺寸的量子细线。通过适当地使用传统的成膜技术，光刻技术和蚀刻技术，在Si衬底上形成沿垂直方向延伸的第二氧化膜。然后，通过去除在垂直方向上延伸的第二氧化物膜，通过蚀刻去除位于膜下方的第二氮化物膜和位于膜下方的第一氧化物膜，形成用于暴露Si衬底的凹槽。然后，使Si细线在Si衬底的暴露部分上外延生长。因此，在不使用任何特殊精细加工技术的情况下形成量子细线。通过控制通过氧化第二氮化物膜的表面形成的第二氧化物膜的膜厚度，可以精确地控制沟槽的宽度，以纳米为单位。
申请日期	2000-01-28
专利号	US6346436
专利状态	失效
申请号	US09/493627
公开（公告）号	US6346436
IPC 分类号	H01L21/02 \| H01L21/335 \| H01S5/34 \| H01L33/00 \| H01S5/00 \| H01L21/8247 \| H01L21/20 \| H01L21/28 \| H01L27/115 \| H01L29/06 \| H01L29/786 \| H01L29/788 \| H01L29/792 \| H01L33/06 \| H01L33/34 \| H01L33/44 \| H01L21/00
专利代理人	-
代理机构	NIXON & VANDERHYE,P.C.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75579
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SHARP KABUSHIKI KAISHA
推荐引用方式 GB/T 7714	FUKUSHIMA, YASUMORI,UEDA, TOHRU,KAMIMURA, KUNIO. Quantum thin line producing method and semiconductor device. US6346436[P]. 2002-02-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US6346436.PDF（482KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文