半導体発光装置

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体発光装置
其他题名	半導体発光装置
	石橋晃; 森芳文
	1996-09-05
专利权人	ソニー株式会社
公开日期	1996-11-27
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To increase the degrees of freedom of the selection of materials and compositions, to widen a range of the selection of emission wavelengths and to obtain a stable light-emitting device with excellent reproducibility by alternately growing a plurality of mutually different substance layers consisting of a simple substance of eight atom layers or less each containing fractions or a binary compound semiconductor substance in an epitaxial manner. CONSTITUTION:Semiconductor layers having superlattice structure in which a plurality of mutually different substance layers L1-LN each composed of layers of eight atom layers or less (also containing fractions) are grown through a MOCVD method or a MBE method in succession at a plurality (M) of periods are shaped onto a single crystal substrate 10 consisting of GaAs, etc., thus constituting a light-emitting region in a semiconductor light-emitting device. Consequently, the arrangement of anions and cations is generated spatially uniformly, and stable luminous characteristics are acquired. Since a composition ratio as a whole is determined separately by the atomic layer ratios and lamination ratios of each substance layer, the degree of freedom of the selection of a component, the degree of the selection of the range of emission wavelengths, is increased. The degree of the selection of materials is improved by taking superlattice structure.
其他摘要	目的：增加材料和成分选择的自由度，扩大发射波长选择的范围，通过交替生长由多个相互不同的物质层组成，获得具有优异再现性的稳定发光装置8个原子层或更少的单个物质，每个包含部分或外延方式的二元化合物半导体物质。组成：具有超晶格结构的半导体层，其中多个相互不同的物质层L1-LN，每个由8个或更少原子层（也包含分数）组成，通过MOCVD方法或MBE方法连续生长多个（M）个周期被成形到由GaAs等构成的单晶衬底10上，从而构成半导体发光器件中的发光区域。因此，阴离子和阳离子的排列在空间上均匀地产生，并且获得稳定的发光特性。由于组成比整体由每个物质层的原子层比和层压比分别确定，因此组分选择的自由度，发射波长范围的选择程度增加。通过采用超晶格结构改善材料选择的程度。
申请日期	1984-10-05
专利号	JP2557040B2
专利状态	失效
申请号	JP1984209302
公开（公告）号	JP2557040B2
IPC 分类号	H01L33/34 \| H01L \| H01S \| H01L33/06 \| H01L33/30 \| H01S5/00 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	松隈秀盛
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75551
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ソニー株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	石橋晃,森芳文. 半導体発光装置. JP2557040B2[P]. 1996-09-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2557040B2.PDF（21KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文