Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体装置 | |
| 其他题名 | 半导体装置 |
| 深谷一夫 | |
| 2017-03-08 | |
| 专利权人 | 瑞萨电子株式会社 |
| 公开日期 | 2017-03-08 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供一种能够提高半导体激光器的特性的半导体装置。在p型包覆层与p型导光层之间配置有电流阻挡层，且具有该电流阻挡层之间的区域即电流狭窄区域(CC)的半导体激光器如下构成。构成为，在从入射侧(HR侧)到出射侧(AR侧)之间依次配置有大宽度部(WP)、锥部(TP)、小宽度部(NP)、锥部(TP)以及大宽度部(WP)的电流狭窄区域(CC)的、大宽度部(WP)的上方，减小绝缘层的开口部(OA)的宽度(Wie)，利用绝缘层(IL)覆盖大宽度部(WP)的两端。根据该结构，能够抑制大宽度部(WP)的超发光的产生，由此，能够谋求光束品质的提高和光束的高输出化。 |
| 其他摘要 | 本发明提供一种能够提高半导体激光器的特性的半导体装置。在p型包覆层与p型导光层之间配置有电流阻挡层，且具有该电流阻挡层之间的区域即电流狭窄区域(CC)的半导体激光器如下构成。构成为，在从入射侧(HR侧)到出射侧(AR侧)之间依次配置有大宽度部(WP)、锥部(TP)、小宽度部(NP)、锥部(TP)以及大宽度部(WP)的电流狭窄区域(CC)的、大宽度部(WP)的上方，减小绝缘层的开口部(OA)的宽度(Wie)，利用绝缘层(IL)覆盖大宽度部(WP)的两端。根据该结构，能够抑制大宽度部(WP)的超发光的产生，由此，能够谋求光束品质的提高和光束的高输出化。 |
| 申请日期 | 2016-08-24 |
| 专利号 | CN106486888A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201610718812.9 |
| 公开（公告）号 | CN106486888A |
| IPC 分类号 | H01S5/30 |
| 专利代理人 | 高培培 | 车文 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75417 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 瑞萨电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 深谷一夫. 半导体装置. CN106486888A[P]. 2017-03-08. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN106486888A.PDF（3960KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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