一种用于激光直写曝光机的高功率紫外半导体激光器

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	一种用于激光直写曝光机的高功率紫外半导体激光器
其他题名	一种用于激光直写曝光机的高功率紫外半导体激光器
	张宽
	2017-11-28
专利权人	合肥芯碁微电子装备有限公司
公开日期	2017-11-28
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明涉及一种用于激光直写曝光机的高功率紫外半导体激光器，与现有技术相比解决了尚无高功率紫外半导体激光器的缺陷。本发明的上排半导体发光阵列包括16个上光纤耦合模块，下排半导体发光阵列包括16个下光纤耦合模块，16个上光纤耦合模块和16个下光纤耦合模块上均接有光纤；16个上光纤耦合模块所接的光纤捆绑成二号光纤束，二号光纤束接入二号光纤输出端口，16个下光纤耦合模块所接的光纤捆绑成一号光纤束，一号光纤束接入一号光纤输出端口。本发明将相应波段半导体发光二极管发出的光通过非球面耦合透镜收进光纤，再对相应波段的光纤进行一定比例的搭配捆绑，达到同一输出光纤束具有高功率波长的目的。
其他摘要	本发明涉及一种用于激光直写曝光机的高功率紫外半导体激光器，与现有技术相比解决了尚无高功率紫外半导体激光器的缺陷。本发明的上排半导体发光阵列包括16个上光纤耦合模块，下排半导体发光阵列包括16个下光纤耦合模块，16个上光纤耦合模块和16个下光纤耦合模块上均接有光纤；16个上光纤耦合模块所接的光纤捆绑成二号光纤束，二号光纤束接入二号光纤输出端口，16个下光纤耦合模块所接的光纤捆绑成一号光纤束，一号光纤束接入一号光纤输出端口。本发明将相应波段半导体发光二极管发出的光通过非球面耦合透镜收进光纤，再对相应波段的光纤进行一定比例的搭配捆绑，达到同一输出光纤束具有高功率波长的目的。
申请日期	2016-07-22
专利号	CN106019859B
专利状态	授权
申请号	CN201610586075.1
公开（公告）号	CN106019859B
IPC 分类号	G03F7/20 \| H01S5/40
专利代理人	张祥骞 \| 奚华保
代理机构	合肥天明专利事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75391
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	合肥芯碁微电子装备有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	张宽. 一种用于激光直写曝光机的高功率紫外半导体激光器. CN106019859B[P]. 2017-11-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106019859B.PDF（182KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文