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半导体激光元件的制造方法
其他题名半导体激光元件的制造方法
佐久间仁
2017-07-18
专利权人三菱电机株式会社
公开日期2017-07-18
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明的目的在于提供一种半导体激光元件的制造方法,该半导体激光元件的制造方法能够抑制晶片的断裂和激光棒的翘曲。其特征在于,具有:元件形成工序,在具有中央部和包围该中央部的外周部的晶片的该中央部形成多个半导体激光元件;镀敷工序,在该外周部的下表面形成具有格子状的槽的镀敷层,在该中央部的下表面不形成该镀敷层;激光棒工序,将该中央部的一部分切断而形成激光棒;以及单片化工序,将该激光棒单片化而形成半导体激光元件。
其他摘要本发明的目的在于提供一种半导体激光元件的制造方法,该半导体激光元件的制造方法能够抑制晶片的断裂和激光棒的翘曲。其特征在于,具有:元件形成工序,在具有中央部和包围该中央部的外周部的晶片的该中央部形成多个半导体激光元件;镀敷工序,在该外周部的下表面形成具有格子状的槽的镀敷层,在该中央部的下表面不形成该镀敷层;激光棒工序,将该中央部的一部分切断而形成激光棒;以及单片化工序,将该激光棒单片化而形成半导体激光元件。
申请日期2017-01-06
专利号CN106960780A
专利状态申请中
申请号CN201710010039
公开(公告)号CN106960780A
IPC 分类号H01L21/02 | H01L21/78 | H01S5/00
专利代理人何立波 | 张天舒
代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75373
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三菱电机株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
佐久间仁. 半导体激光元件的制造方法. CN106960780A[P]. 2017-07-18.
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CN106960780A.PDF(174KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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