Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体发光元件 | |
| 其他题名 | 半导体发光元件 |
| 小林隆二; 菅生繁男 | |
| 2008-07-16 | |
| 专利权人 | 日本电气株式会社 |
| 公开日期 | 2008-07-16 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体发光元件。两波长半导体激光器1包括n－型GaN衬底101、布置在n－型GaN衬底101的预定表面上的n－型GaAs衬底201、设置在n－型GaN衬底101的表面之一上并包括多量子阱有源层105的蓝－紫色激光器100，以及设置在n－型GaAs201的表面之一上并包括多量子阱有源层205的红色激光器200。蓝－紫色激光器100和红色激光器200发射具有彼此不同波长的激光束。设置蓝－紫色激光器100和红色激光器200使得它们的空腔长度方向几乎彼此平行。蓝－紫色激光器100的空腔长度短于红色激光器200的空腔长度。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及一种半导体发光元件。两波长半导体激光器1包括n－型GaN衬底101、布置在n－型GaN衬底101的预定表面上的n－型GaAs衬底201、设置在n－型GaN衬底101的表面之一上并包括多量子阱有源层105的蓝－紫色激光器100，以及设置在n－型GaAs201的表面之一上并包括多量子阱有源层205的红色激光器200。蓝－紫色激光器100和红色激光器200发射具有彼此不同波长的激光束。设置蓝－紫色激光器100和红色激光器200使得它们的空腔长度方向几乎彼此平行。蓝－紫色激光器100的空腔长度短于红色激光器200的空腔长度。 |
| 申请日期 | 2006-09-08 |
| 专利号 | CN101223679A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200680025956.0 |
| 公开（公告）号 | CN101223679A |
| IPC 分类号 | H01S5/40 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 关兆辉 | 陆锦华 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75172 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本电气株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林隆二,菅生繁男. 半导体发光元件. CN101223679A[P]. 2008-07-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101223679A.PDF（1857KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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