面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法

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	面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法
其他题名	面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法
	宮本育昌
	2007-12-20
专利权人	FUJI XEROX CO LTD
公开日期	2007-12-20
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】製造中の基板またはウエハをESD等の大電流から保護することができる面発光型半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 VCSELは、GaAs基板100上に、n型の第下部DBR104、活性層106、p型の上部DBR108、およびp型のコンタクト層110を含む半導体層が積層され、レーザ光を出射するポスト構造Pとパッド形成領域Qとが半導体層に形成された溝114によって分離されている。ポスト構造Pのコンタクト層110上にコンタクト電極120が形成され、パッド形成領域Qにコンタクト電極120と電気的に接続されるパッド電極130が形成されている。さらに、パッド形成領域Qに、ESD用の導電部Rが形成されている。導電部Rは、コンタクト層110上に形成された金属層140を有し、金属層140の露出面積は、コンタクト電極の露出面積よりも大きい。【選択図】図1
其他摘要	要解决的问题：提供一种表面发射半导体激光器件，其中可以保护正在生产的衬底或晶片免受诸如ESD的大电流的影响。解决方案：在GaAs衬底100上层叠包括n型下DBR 104，有源层106，p型上DBR 108和p型接触层110的VCSEL中的半导体层;通过形成在半导体层中的沟槽114，发射激光的柱结构P与焊盘形成区域Q分离。在柱结构P的接触层110上形成接触电极120，并且在焊盘形成区域Q中形成与接触电极120电连接的焊盘电极130.此外，在焊盘中形成用于ESD的导电部分R.形成区域Q.导体R具有形成在接触层110上的金属层140，并且金属层140的暴露面积大于接触电极的暴露面积。 Ž
申请日期	2006-06-06
专利号	JP2007329193A
专利状态	失效
申请号	JP2006157579
公开（公告）号	JP2007329193A
IPC 分类号	H01S \| H01S5/187
专利代理人	片寄恭三 \| 片山修平
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75029
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJI XEROX CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	宮本育昌. 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法. JP2007329193A[P]. 2007-12-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2007329193A.PDF（191KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文