Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 宇佐川 利幸; 矢沢 正光; 比留間 健之 | |
| 1994-09-16 | |
| 专利权人 | HITACHI LTD |
| 公开日期 | 1994-09-16 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 低しきい値、高利得、高緩和振動数で、細線寸法バラツキに強い半導体レーザを実現する素子構造を提供する。 【構成】図3に示すように、変調ドープ構造の一次元電子ガスと一次元正孔ガスのpn接合を量子細線構造の半導体レーザの活性層にもちいる。細線寸法バラツキに強い半導体レーザを実現する素子構造を提供することで、低しきい値、高利得、高緩和振動数を実現する。 【効果】 低しきい値として100 μA、高緩和振動数として70GHzを実現できる。 |
| 其他摘要 | 目的：通过一种形成半单向电子气和半单向孔气的PN结的方法，获得一种结构摆动性强，对量子线具有很高载流子注入效应的量子线半导体激光器，在PN结的上侧和下侧形成光限制层。组成：在n型GaAs（面100）基板30上形成含Si的n型Al x Ga 1-x As包层20.然后，耦合到MOCVD器件的Au气相沉积器件在真空气氛，Au涂层。然后，生长由未掺杂的GaAs组成的晶须10，并蒸发Au。随后，连续生长含Si的n型Al x Ga 1-x As层和含C的p型Al x Ga 1-x As层14，并掩埋晶须10。通过上述过程，形成并使用一维电子气和一维空气的P-N结。因此，可以实现具有非常低的阈值，高增益和高缓和振荡数的半导体激光器。 |
| 申请日期 | 1993-03-09 |
| 专利号 | JP1994260721A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993047724 |
| 公开（公告）号 | JP1994260721A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 小川 勝男 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74896 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宇佐川 利幸,矢沢 正光,比留間 健之. 半導体レーザ. JP1994260721A[P]. 1994-09-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1994260721A.PDF（33KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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