Semiconductor laser

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	Semiconductor laser
其他题名	Semiconductor laser
	FUJII HIROAKI
	1991-04-15
专利权人	NEC CORP
公开日期	1991-04-15
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To produce refractive index change induced by an elastic surface wave in a light emitting part to enable suppression of return light noise accompanied by the lowering of coherency by providing the light emitting part for the laser oscillation and an elastic surface wave generating part for injecting the elastic surface wave into the light emitting part. CONSTITUTION:In a light emitting part 100, a GaAs active layer 110 is sandwiched between and laminated with AlGaAs clad layers 115, 120, and all are buried in AlGaAs block layers 135, 140 except a stripe-shaped current injecting part. An elastic surface wave generating part 105 consists of an elastic wave generating part in the rear surface of the substrate and an elastic surface wave converting part in the front surface of the substrate. In the elastic wave generating part, a ZnO film, which is a piezo-electric material, is sandwiched between two electrodes 165, 170, and a microwave for generating the elastic surface wave is applied to these two electrodes. The elastic surface wave converting part consists of recessed and projecting parts having a period of 6mum, and the elastic wave generated by the elastic wave generating part in the rear surface is converted to the elastic surface wave by a grating 155 and led to the light emitting part 100.
其他摘要	目的：通过在发光部件中产生由弹性表面波引起的折射率变化，通过提供用于激光振荡的发光部件和用于注入的弹性表面波发生部件，能够抑制伴随降低相干性的返回光噪声弹性表面波进入发光部分。组成：在发光部件100中，GaAs有源层110夹在AlGaAs包层115,120之间并层叠，并且除了条形电流注入部分之外，所有GaAs有源层110都埋在AlGaAs块层135,140中。弹性表面波发生部分105包括在基板的后表面中的弹性波发生部分和在基板的前表面中的弹性表面波转换部分。在弹性波产生部分中，作为压电材料的ZnO膜夹在两个电极165,170之间，并且用于产生弹性表面波的微波被施加到这两个电极。弹性表面波转换部分由周期为6μm的凹凸部分组成，由后表面中的弹性波发生部分产生的弹性波通过光栅155转换成弹性表面波并导致发光。第100部分。
申请日期	1989-08-31
专利号	JP1991089580A
专利状态	失效
申请号	JP1989226936
公开（公告）号	JP1991089580A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/042 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74856
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NEC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	FUJII HIROAKI. Semiconductor laser. JP1991089580A[P]. 1991-04-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1991089580A.PDF（116KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文