半導体レ-ザの製造方法

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	半導体レ-ザの製造方法
其他题名	半導体レ-ザの製造方法
	花光幸和; 土屋富志夫; 山口茂実; 浅井昭彦; 牧田克男
	1996-01-31
专利权人	アンリツ株式会社
公开日期	1996-01-31
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To obtain a laser whose active layer is narrow, whose oscillation mode is stable and whose threshold electric current is low by a method wherein an inverted-mesa-shaped part is formed by using a first etching solution and, in succession, a vertical-shaped part and a forward-mesa-shaped part are formed by using a second etching solution. CONSTITUTION:A p-type InP clad layer 12, an InGaAsP active layer 13 and an n-type InP clad layer 14 are formed on a p-type InP substrate 1 A stripe-shaped SiO2 film 23 to be used for a mask is formed on the layer 14; an etching process is executed up to the clad layer 12 over the active layer 13 by using a solution of Br2-CH3OH as a first etching solution so as to form an inverted-mesa-shaped part 20; then, another etching process is executed up to an intermediary part of the substrate 11 by using another solution of hydrochloric acid as a second etching solution so as to form a vertical-shaped part 21 and a forward-mesa- shaped part 22. Then, a p-type buried layer 15, an n-type buried layer 16 and a p-type buried layer 17 are formed in succession at the circumference of these mesa stripes. If the etching process is executed in such a way that the active layer 13 is situated near the part connecting the inverted-mesa-shaped part 20 to the vertical-shaped part 12 the width W of the active layer can be narrowed. By this setup, it is possible to stabilize an oscillation mode of a laser beam and to lower a threshold electric current while a high output is maintained.
其他摘要	用途：通过使用第一蚀刻溶液形成倒置台面形部分并依次形成垂直方法，获得有源层较窄，振荡模式稳定且阈值电流较低的激光器通过使用第二蚀刻溶液形成前形部分和前方台面形部分。组成：在p型InP衬底11上形成p型InP包层12，InGaAsP有源层13和n型InP包层14.用于掩模的条形SiO2薄膜23是形成在层14上;通过使用Br 2 -CH 3 OH溶液作为第一蚀刻溶液，在有源层13上方对包层12进行蚀刻处理，以形成倒置台面形部分20;然后，通过使用另一种盐酸溶液作为第二蚀刻溶液，执行另一蚀刻工艺直至基板11的中间部分，从而形成垂直形状部分21和前台面形状部分22。在这些台面条的圆周上依次形成p型埋层15，n型埋层16和p型埋层17。如果以这样的方式执行蚀刻工艺：有源层13位于将倒置台面形部分20连接到垂直形状部分12的部分附近，则有源层的宽度W可以变窄。通过这种设置，可以稳定激光束的振荡模式并降低阈值电流，同时保持高输出。
申请日期	1987-02-23
专利号	JP1996010780B2
专利状态	失效
申请号	JP1987039598
公开（公告）号	JP1996010780B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	鈴江武彦 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74780
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	アンリツ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	花光幸和,土屋富志夫,山口茂実,等. 半導体レ-ザの製造方法. JP1996010780B2[P]. 1996-01-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1996010780B2.PDF（26KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文