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OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

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其他题名	-
	MITO IKUO
	1993-01-22
专利权人	NIPPON ELECTRIC CO
公开日期	1993-01-22
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To obtain a single axial mode type semiconductor laser adequate to vapor growth and having the characteristics of high performance by forming a groove reaching an optical guide layer to a multilayer film substrate, in which specific optical guide layer, current confinement layer and current block layer are each laminated on a semiconductor substrate, to which a diffraction grating is shaped, and laminating a clad layer, an active layer and a clad layer sequentially. CONSTITUTION:A multilayer film substrate in which a first conductivity type optical guide layer 2 having a refractive index larger than a first conductivity type semiconductor substrate 1, a second conductivity type current confinement layer 3 having a refractive index smaller than the optical guide layer 2, and a first conductivity type current block layer 4 are laminated on the semiconductor substrate 1, to the surface of which a diffraction grating 10 is shaped, is prepared. A groove 20 in depth reaching the optical guide layer 2 is formed to one part of the multilayer film substrate, and a first conductivity type clad layer 5 having a refractive index smaller than the optical guide layer 2, an active layer 6 having a refractive index larger than the optical guide layer 2 and a second conductivity type clad layer 7 having a refractive index smaller than the optical guide layer 2 are laminated, coating the whole surface of said multilayer film substrate including the groove 20.
其他摘要	目的：通过在多层薄膜基板上形成到达光导层的凹槽，获得足以气相生长并具有高性能特性的单轴模式半导体激光器，其中特定的光导层，电流限制层和电流阻挡在半导体衬底上层叠衍射光栅，并依次层叠包层，有源层和包层。组成：一种多层薄膜基板，其中第一导电型光导层2的折射率大于第一导电型半导体基板1，第二导电型电流限制层3具有折射率小于光导层2，并且在半导体衬底1上层叠第一导电型电流阻挡层4，在其表面上形成衍射光栅10的表面。到达光导层2的深度的凹槽20形成在多层薄膜基板的一部分上，和折射率小于光导层2的第一导电型覆盖层5，具有折射率的有源层6比光导层2大，并且层叠折射率小于光导层2的第二导电类型包层7，涂覆包括所述多层薄膜基板的所述多层薄膜基板的整个表面。凹槽20。
申请日期	1986-05-30
专利号	JP1993005390B2
专利状态	失效
申请号	JP1986125467
公开（公告）号	JP1993005390B2
IPC 分类号	H01S5/223 \| H01S \| H01S5/323 \| H01S5/00 \| H01S5/12
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74629
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIPPON ELECTRIC CO
推荐引用方式 GB/T 7714	MITO IKUO. -. JP1993005390B2[P]. 1993-01-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1993005390B2.PDF（241KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文