Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
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其他题名 | - |
MITO IKUO | |
1993-01-22 | |
专利权人 | NIPPON ELECTRIC CO |
公开日期 | 1993-01-22 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | PURPOSE:To obtain a single axial mode type semiconductor laser adequate to vapor growth and having the characteristics of high performance by forming a groove reaching an optical guide layer to a multilayer film substrate, in which specific optical guide layer, current confinement layer and current block layer are each laminated on a semiconductor substrate, to which a diffraction grating is shaped, and laminating a clad layer, an active layer and a clad layer sequentially. CONSTITUTION:A multilayer film substrate in which a first conductivity type optical guide layer 2 having a refractive index larger than a first conductivity type semiconductor substrate 1, a second conductivity type current confinement layer 3 having a refractive index smaller than the optical guide layer 2, and a first conductivity type current block layer 4 are laminated on the semiconductor substrate 1, to the surface of which a diffraction grating 10 is shaped, is prepared. A groove 20 in depth reaching the optical guide layer 2 is formed to one part of the multilayer film substrate, and a first conductivity type clad layer 5 having a refractive index smaller than the optical guide layer 2, an active layer 6 having a refractive index larger than the optical guide layer 2 and a second conductivity type clad layer 7 having a refractive index smaller than the optical guide layer 2 are laminated, coating the whole surface of said multilayer film substrate including the groove 20. |
其他摘要 | 目的:通过在多层薄膜基板上形成到达光导层的凹槽,获得足以气相生长并具有高性能特性的单轴模式半导体激光器,其中特定的光导层,电流限制层和电流阻挡在半导体衬底上层叠衍射光栅,并依次层叠包层,有源层和包层。组成:一种多层薄膜基板,其中第一导电型光导层2的折射率大于第一导电型半导体基板1,第二导电型电流限制层3具有折射率小于光导层2,并且在半导体衬底1上层叠第一导电型电流阻挡层4,在其表面上形成衍射光栅10的表面。到达光导层2的深度的凹槽20形成在多层薄膜基板的一部分上,和折射率小于光导层2的第一导电型覆盖层5,具有折射率的有源层6比光导层2大,并且层叠折射率小于光导层2的第二导电类型包层7,涂覆包括所述多层薄膜基板的所述多层薄膜基板的整个表面。凹槽20。 |
申请日期 | 1986-05-30 |
专利号 | JP1993005390B2 |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1986125467 |
公开(公告)号 | JP1993005390B2 |
IPC 分类号 | H01S5/223 | H01S | H01S5/323 | H01S5/00 | H01S5/12 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74629 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | NIPPON ELECTRIC CO |
推荐引用方式 GB/T 7714 | MITO IKUO. -. JP1993005390B2[P]. 1993-01-22. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1993005390B2.PDF(241KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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