Manufacture of semiconductor light-emitting device

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	Manufacture of semiconductor light-emitting device
其他题名	Manufacture of semiconductor light-emitting device
	SUGANO YOSHIYASU
	1988-12-14
专利权人	FUJITSU LTD
公开日期	1988-12-14
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To perform a screening in a wafer state by forming the series connection of a semiconductor light emitting element as an electrode pattern on a wafer, and the dividing it into elements. CONSTITUTION:A P type region 8 is formed on a wafer on which an N-type GaAs layer 2, an N-type Ga0.7Al0.3As clad layer 3, a P-type Ga0.95Al0.05As active layer 4, a P-type Ga0.7Al0.3As clad layer 5, an N-type Ga0.7Al0.3As current narrowing layer 6 and a P-type Ga0.7Al0.3As cap layer 7 are sequentially grown on a chromium-doped semi-insulating GaAs substrate 1 to form the layer 6 of a light emitting region of P-type. An opening is formed in a protective insulating film 9 of the upper face of the lower stage of a mesa to deposit AuGe on an N-type electrode 11 in contact with the layer 2, to deposit Au/Zn on a P-type electrode 10 in contact with the layer 7, Au is further deposited on the whole face, and an electrode pattern in which the electrode 10 of one element is connected by an Au-connecting pattern 12 to the electrode 11 of an adjacent element is sequentially formed in the same row.
其他摘要	用途：通过在晶片上形成半导体发光元件作为电极图案的串联连接，并将其分成元件，以在晶片状态下进行屏蔽。组成：AP +型区域8形成在其上有N型GaAs层2，N型Ga0.7Al0.3As包层3，P型Ga0.95Al0.05As有源层4的晶片上，在掺杂铬的半绝缘层上依次生长P型Ga0.7Al0.3As包层5，N型Ga0.7Al0.3As电流窄化层6和P型Ga0.7Al0.3As盖层7 GaAs衬底1形成P型发光区的层6。在台面下层的上表面的保护绝缘膜9中形成开口，以在与层2接触的N型电极11上沉积AuGe，以在P型电极10上沉积Au / Zn。在与层7接触的情况下，在整个面上进一步沉积Au，并且在其中依次形成电极图案，其中一个元件的电极10通过Au连接图案12连接到相邻元件的电极11。同一行。
申请日期	1987-06-08
专利号	JP1988306687A
专利状态	失效
申请号	JP1987142490
公开（公告）号	JP1988306687A
IPC 分类号	H01L33/14 \| H01L33/20 \| H01L33/30 \| H01L33/40 \| H01L33/44 \| H01S5/00 \| H01S5/183 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74578
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJITSU LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	SUGANO YOSHIYASU. Manufacture of semiconductor light-emitting device. JP1988306687A[P]. 1988-12-14.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1988306687A.PDF（203KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文