Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半導体レーザの製造方法 | |
其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
竹内 辰也 | |
1994-03-25 | |
专利权人 | 富士通株式会社 |
公开日期 | 1994-03-25 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 【目的】 半導体レーザの製造方法に関し、高抵抗埋め込み層のp型化を防止して漏れ電流阻止効果の改善された高出力半導体レーザを提供することを目的とする。 【構成】 基板1上に少なくとも活性層3と所定の導電型の不純物を導入したクラッド層4とを積層形成し、これらを選択的にエッチングして基板1上にメサ状に残留し、このメサを囲んで基板1上に、深いアクセプタ準位を形成する不純物がドーピングされた高抵抗層6を埋め込む工程を有し、高抵抗層6にドーピングする深いアクセプタ準位を形成する不純物のドーピング量を埋め込み初期において少なくするようにする。 |
其他摘要 | 用途:提供高输出半导体激光器,其中通过防止高电阻掩埋层变成p型来增强漏电流阻挡效应。组成:至少一个有特殊导电类型的杂质引入的有源层3和包层4沉积在基板1上。然后选择性地蚀刻它们,并在台面上留下基板1和高电阻层,掺杂杂质用于形成深受主能级的物质被埋在基板1上的台面周围。在掩埋步骤的初始阶段,用于形成深受主能级的杂质的剂量被设定得低。 |
申请日期 | 1992-09-04 |
专利号 | JP1994085390A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1992236235 |
公开(公告)号 | JP1994085390A |
IPC 分类号 | H01S | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S3/18 |
专利代理人 | 寒川 誠一 |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74449 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 富士通株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹内 辰也. 半導体レーザの製造方法. JP1994085390A[P]. 1994-03-25. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1994085390A.PDF(40KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[竹内 辰也]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[竹内 辰也]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[竹内 辰也]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论