Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザの製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 竹内 辰也 | |
| 1994-03-25 | |
| 专利权人 | 富士通株式会社 |
| 公开日期 | 1994-03-25 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 半導体レーザの製造方法に関し、高抵抗埋め込み層のp型化を防止して漏れ電流阻止効果の改善された高出力半導体レーザを提供することを目的とする。 【構成】 基板1上に少なくとも活性層3と所定の導電型の不純物を導入したクラッド層4とを積層形成し、これらを選択的にエッチングして基板1上にメサ状に残留し、このメサを囲んで基板1上に、深いアクセプタ準位を形成する不純物がドーピングされた高抵抗層6を埋め込む工程を有し、高抵抗層6にドーピングする深いアクセプタ準位を形成する不純物のドーピング量を埋め込み初期において少なくするようにする。 |
| 其他摘要 | 用途：提供高输出半导体激光器，其中通过防止高电阻掩埋层变成p型来增强漏电流阻挡效应。组成：至少一个有特殊导电类型的杂质引入的有源层3和包层4沉积在基板1上。然后选择性地蚀刻它们，并在台面上留下基板1和高电阻层，掺杂杂质用于形成深受主能级的物质被埋在基板1上的台面周围。在掩埋步骤的初始阶段，用于形成深受主能级的杂质的剂量被设定得低。 |
| 申请日期 | 1992-09-04 |
| 专利号 | JP1994085390A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992236235 |
| 公开（公告）号 | JP1994085390A |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 寒川 誠一 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74449 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹内 辰也. 半導体レーザの製造方法. JP1994085390A[P]. 1994-03-25. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1994085390A.PDF（40KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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