Semiconductor laser device and its manufacture

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	Semiconductor laser device and its manufacture
其他题名	Semiconductor laser device and its manufacture
	IMAI HAJIME; ISHIKAWA HIROSHI
	1982-09-06
专利权人	FUJITSU LTD
公开日期	1982-09-06
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To facilitate positioning by forming a V-shaped groove for positioning an optical fiber to the extended section of a striped laser region by etching an InP board, which uses a (100) face as a main face, and employing a (110) face appearing at the terminal as a specular face. CONSTITUTION:An active region 2 is shaped to the InP single crystal 1, the (100) face is etched, and the V-shaped groove 4 is formed in the light discharging direction. The optical fiber 3 is inserted into the V-shaped groove 4, but the position and width of the V-shaped groove are determined so that the axes of the active region 2 and the core 3' of the fiber agree at that time. Both end surfaces 5 of the V-shaped groove take (111)A faces, but the terminal face 6 in the axial direction takes the (110) face, and functions as one specular face of a laser. Accordingly, the V-shaped groove for positioning the optical fiber can easily be formed with high accuracy.
其他摘要	用途：通过蚀刻使用（100）面作为主面的InP板并采用（110），形成V形槽，以便将光纤定位到条纹激光区域的延伸部分，从而便于定位面部出现在镜面上。组成：有源区2成形为InP单晶1，蚀刻（100）面，并在光放电方向上形成V形槽4。将光纤3插入V形槽4中，但确定V形槽的位置和宽度，使得此时光纤的有源区2和芯3'的轴线一致。 V形槽的两个端面5采用（111）A面，但是轴向上的端面6采用（110）面，并且用作激光的一个镜面。因此，可以容易地以高精度形成用于定位光纤的V形槽。
申请日期	1981-03-02
专利号	JP1982143890A
专利状态	失效
申请号	JP1981029725
公开（公告）号	JP1982143890A
IPC 分类号	G02B6/30 \| G02B6/36 \| G02B6/42 \| H01S5/00 \| G02B5/14 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74403
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJITSU LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	IMAI HAJIME,ISHIKAWA HIROSHI. Semiconductor laser device and its manufacture. JP1982143890A[P]. 1982-09-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1988020389B2.PDF（211KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文