Semiconductor laser array

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	Semiconductor laser array
其他题名	Semiconductor laser array
	KOMAZAKI IWAO
	1989-02-13
专利权人	NEC CORP
公开日期	1989-02-13
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To facilitate isolation between respective devices, by forming high resistance regions between respective laser oscillation devices. CONSTITUTION:Stripe grooves are formed on a GaAs substrate 1, and next a clad layer 2, an optical waveguide layer 3, an active layer 4, an optical reflection layer 5, current block layers 8 and 9 are formed serially on this substrate. In succession, a mask 21 is used to implant Ga ions to reach the substrate 1 and to form high resistance regions 33. Next, another mask is used to open windows in current injection regions, and Zn is made to reach the optical reflection film 5 by thermal diffusion to form low resistance Zn diffusion regions 23. An electrode 11 is formed to be striped, and an insulation film 10 is formed on the surface of the high resistance regions 33. Carriers injected by the electrode 11 separated on such a striped state do not expand transversally but pass through the Zn diffusion regions 23 and flow into the active layer 4, so that a high performance operation controlled on a transverse mode can be obtained. Further the respective devices are separated by not the grooves but the high resistance regions, and so device yield can be improved.
其他摘要	用途：通过在各个激光振荡装置之间形成高阻区，促进各个装置之间的隔离。组成：在GaAs衬底1上形成条纹凹槽，接着在该衬底上串联形成包层2，光波导层3，有源层4，光反射层5，电流阻挡层8和9。接着，使用掩模21来注入Ga离子以到达衬底1并形成高电阻区域33.接下来，使用另一掩模在电流注入区域中打开窗口，并使Zn到达光学反射膜5。通过热扩散形成低电阻Zn扩散区23.电极11形成为条纹状，并且在高电阻区33的表面上形成绝缘膜10.由电极11注入的载流子在这样的条纹状态下分离横向扩展但不穿过Zn扩散区23并流入有源层4，从而可以获得在横向模式下控制的高性能操作。此外，各个器件不是通过凹槽而是高电阻区域分开，因此可以提高器件产量。
申请日期	1987-08-07
专利号	JP1989041292A
专利状态	失效
申请号	JP1987197652
公开（公告）号	JP1989041292A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74257
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NEC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	KOMAZAKI IWAO. Semiconductor laser array. JP1989041292A[P]. 1989-02-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1989041292A.PDF（151KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文