Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光装置 | |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 上手 清嗣; 森戸 健 | |
| 1996-12-17 | |
| 专利权人 | FUJITSU LTD |
| 公开日期 | 1996-12-17 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 半導体発光装置に関し、周波数特性あるいは伝送特性が良好な半導体発光装置を提供する。 【構成】 InP基板11の上に、n-InGaAsPガイド層12、MQW活性層131 、MQW吸収層132 、p-InGaAsP吸収層14、p-InPクラッド層15、p-InGaAsPコンタクト層16を成長し、半絶縁性InP埋込層17によって分離した半導体発光装置において、DFBレーザ部Aと変調器部Cの間の分離部Bに、Zn、Cu、プロトン、Feのいずれかを注入することによって、光導波路部に到達する非発光再結合中心を有する構成とする。この場合、変調器部CがMQW構造(MQW吸収層132 )を有し、DFBレーザ部Aと変調器部Cの間にある分離部BのMQW構造がディスオーダリングされて吸収波長帯が短波長化されている構成とすることができる。 |
| 其他摘要 | 用途：通过其中到达光波导部分的未发射复合的中心存在于位于激光器部分和调制器部分之间的隔离部分中的结构，提供频率特性或传输特性优异的半导体发光器件。组成：质子离子通过p-InGaAsP触点16的开口注入隔离部分B，穿过p-InP包层15，p-InGaAsP吸收层，InGaAsP引导层132，n-InGaAsP引导层12和因此，隔离部分B处的MQW吸收层132受到无序化，并且该部分处的带隙增大。由此缩短了光吸收带的波长，并且减少了激光的吸收，从而抑制了载流子的产生。然而，在光吸收结束时产生的载流子通过在波导部分处形成的未发射复合的中心快速地进行未发射复合，从而改善10MHz或更低的低频带中的频率特性。 |
| 申请日期 | 1995-06-07 |
| 专利号 | JP1996335745A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1995140190 |
| 公开（公告）号 | JP1996335745A |
| IPC 分类号 | H01S5/06 | H01S5/068 | H01S5/00 | G02F1/025 | H01S3/18 | H01S3/103 | H01S3/133 |
| 专利代理人 | 柏谷 昭司 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74225 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上手 清嗣,森戸 健. 半導体発光装置. JP1996335745A[P]. 1996-12-17. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1996335745A.PDF（70KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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