Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光装置 | |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 石川 務; 山本 剛之 | |
| 1998-09-02 | |
| 专利权人 | FUJITSU LTD |
| 公开日期 | 1998-09-02 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 半導体発光装置に関し、n型電流阻止層の材料を選択する簡単な手段に依って、プラズマ効果に依る屈折率低下を補償し、光出射端近傍での近視野像歪みを解消しようとする。 【解決手段】 電流注入に依って光を増幅する量子井戸活性層23及び該量子井戸活性層23に連なり光出射端に達するスポット·サイズ変換器である膜厚テーパ導波路22が含まれるメサ·ストライプと、該メサ·ストライプの長手方向両側を埋め且つ少なくとも一層以上のn型層であるn-AlInAs電流阻止層25を含んで積層形成された電流阻止層とを備え、n型層は材料の組成を選択することで屈折率を周囲の半導体層の屈折率と同程度に調整したものとなっている。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过选择关于半导体的n型电流阻挡层材料的简单方法，通过补偿由等离子体效应引起的折射率降低来消除发光端附近区域中的近场图像应变发光器件。解决方案：器件具有台面条带，其中包括通过电流注入放大光的量子阱有源层23和通过量子阱有源层23延伸到光学投影端的光点尺寸转换器的厚锥形波导路径22，通过层叠形成的电流阻挡层包括n-AllnAs电流阻挡层25，所述n-AllnAs电流阻挡层25填充在台面条的纵向方向上的两侧，并且是至少一层或多层的n型层。通过选择材料的组成，将n型层的折射率调节为与周向半导体层几乎相同的折射率。 |
| 申请日期 | 1997-02-21 |
| 专利号 | JP1998233551A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997037460 |
| 公开（公告）号 | JP1998233551A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 柏谷 昭司 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74223 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石川 務,山本 剛之. 半導体発光装置. JP1998233551A[P]. 1998-09-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1998233551A.PDF（91KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [石川 務]的文章 |
| [山本 剛之]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [石川 務]的文章 |
| [山本 剛之]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [石川 務]的文章 |
| [山本 剛之]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论