Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半導体レーザ装置 | |
其他题名 | 半導体レーザ装置 |
福久 敏哉; 萬濃 正也; 古川 秀利 | |
2007-03-15 | |
专利权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
公开日期 | 2007-03-15 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 【課題】 電流注入経路の不安定性を抑制し、動作電流の増大や拡がり角のバラツキなどレーザ特性悪化を抑制することを目的とする。 【解決手段】 電流ブロック層を複数層構造とし、エッチングストップ層405またはp型クラッド層404に隣接する電流ブロック層をエッチングストップ層405またはp型クラッド層404より大きいバンドギャップを有する材料で構成することにより、エッチングストップ層405またはp型クラッド層404と、電流ブロック層とが接合する近傍の価電子帯においてスパイクの発生が抑えられるため、ホールが導波領域の外側に漏洩しても、電流注入経路の変動を抑え、動作電流の増大や拡がり角のバラツキなどレーザ特性悪化を抑制することができる。 【選択図】 図1 |
其他摘要 | 电流注入通路的抑制不稳定性,并且其目的是抑制激光特性的恶化,如在工作电流的增大或扩展角的变化。 一通过在电流阻挡层和多层结构时,构成相邻的所述蚀刻停止层405或所述p型包覆层具有的带隙比所述蚀刻停止层405或所述p型包覆层404大的材料404中的电流阻挡层,蚀刻停止层405或所述p型包覆层404中,由于尖峰的发生被抑制在价带中结附近和电流阻挡层,即使泄漏到波导区的外部的孔,所述电流注入路径抑制工作电流的波动,增加和蔓延激光特性的恶化,如角的波动可以被抑制。 发明背景 |
申请日期 | 2005-09-02 |
专利号 | JP2007067305A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP2005254227 |
公开(公告)号 | JP2007067305A |
IPC 分类号 | H01S5/223 | H01S5/00 |
专利代理人 | 板垣 孝夫 | 森本 義弘 | 笹原 敏司 | 原田 洋平 |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74054 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 福久 敏哉,萬濃 正也,古川 秀利. 半導体レーザ装置. JP2007067305A[P]. 2007-03-15. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP2007067305A.PDF(101KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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