Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 納富 雅也; 浅井 裕充; 吉國 裕三 | |
| 1996-04-02 | |
| 专利权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 公开日期 | 1996-04-02 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 量子井戸中に形成される量子準位間の遷移を用いてレーザ発振を実現することによって、通信波長帯でのレーザ発振が可能な半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 【構成】 半導体レーザ装置は、第1バリア層のエネルギーが量子井戸層内の第1量子準位のエネルギーより下に位置し、第2バリア層のエネルギーが第1量子準位のエネルギーと第2量子準位のエネルギーとの間に位置し、第3バリア層のエネルギーが第2量子準位のエネルギーより上に位置し、第4バリア層のエネルギーが第2量子準位のエネルギーより上に位置し、さらに第5バリア層のエネルギーが第1量子準位のエネルギーより下に位置することを特徴とする。 |
| 其他摘要 | 目的：通过采用InGaAs / AlAsSd / InAlGaAs量子阱结构，获得可以实现使用子带间跃迁的通信波长带的激光振荡的半导体激光器件。结构：半导体激光器由n + -InGaAs层1，n-InGaAs层2，n-InAlAs覆层3，有源层4，n-InAlAs覆层5和n-InP衬底6组成。层4由n-InAlGaAs层7，n-InAlAs 8，无掺杂的AlAsSb阻挡层9，无掺杂的InGaAs阱层10和无掺杂的AlAsSb阻挡层11组成。有源层4具有这样的结构，由层7〜11构成的层结构单元重复配置10次。因此，可以通过由于子带间跃迁的增益来获得低阈值电流密度。 |
| 申请日期 | 1994-09-16 |
| 专利号 | JP1996088440A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994222135 |
| 公开（公告）号 | JP1996088440A |
| IPC 分类号 | H01L33/06 | G02F1/136 | H01L33/30 | H01L29/786 | G02F1/1368 | H01S5/00 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 谷 義一 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73911 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 納富 雅也,浅井 裕充,吉國 裕三. 半導体レーザ装置. JP1996088440A[P]. 1996-04-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1996088440A.PDF（65KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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