Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 山田 篤志; 大野 啓; 左文字 克哉 | |
| 2008-11-13 | |
| 专利权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 公开日期 | 2008-11-13 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】工程中の電極の剥がれを防止できる構造を備え、初期特性及び信頼性に優れた半導体発光素子を提供する。 【課題を解決するための手段】半導体発光素子は、基板上に、下から順に第1導電型のクラッド層、活性層、及び第2導電型のクラッド層が形成され、第2導電型のクラッド層を少なくとも含む層にリッジ形状のストライプ構造を備える。ストライプ構造の側面及び底面に形成された誘電体膜と、ストライプ構造の上面に形成された導電膜よりなるオーミック電極とを備えている。 【選択図】図3 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种半导体发光器件，其包括能够在工艺过程中防止电极剥离并且具有优异的初始特性和可靠性的结构。ŽSOLUTION：在半导体发光器件中，在基板上从下面依次形成第一导电类型包层，有源层和第二导电类型包层，并且半导体发光器件包括脊形条纹结构至少包含第二导电类型包层。该半导体发光器件还包括：介电膜，形成在条纹结构的侧面和底面上;以及由在条纹结构的上表面上形成的导电膜构成的欧姆电极。Ž |
| 申请日期 | 2007-04-27 |
| 专利号 | JP2008277492A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2007118338 |
| 公开（公告）号 | JP2008277492A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 前田 弘 | 竹内 宏 | 嶋田 高久 | 竹内 祐二 | 今江 克実 | 藤田 篤史 | 二宮 克也 | 原田 智雄 | 井関 勝守 | 関 啓 | 杉浦 靖也 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73813 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 篤志,大野 啓,左文字 克哉. 半導体発光素子及びその製造方法. JP2008277492A[P]. 2008-11-13. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2008277492A.PDF（125KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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