Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体装置 | |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 藪▲崎▼ 慶一; 大久保 典雄 | |
| 2006-09-28 | |
| 专利权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 公开日期 | 2006-09-28 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】半導体装置の加工精度および生産効率を高めること。 【解決手段】半導体レーザ装置は、半導体基板2の上面に、下側クラッド層3、活性層4、上側クラッド層5、コンタクト層9、絶縁膜6が生成されている。また、上側クラッド層5、コンタクト層9、絶縁膜6は、エッチングによってリッジ部12をなしている。さらに、半導体基板2の下面に負電極1が生成され、多層膜基板31の上面には導電体層7が生成されている。また、導電体層7は、リッジ部12の側面において少なくとも150nmの厚みを有し、リッジ部12は砂時計形の断面形状を有する。 【選択図】図1 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提高半导体器件的加工精度和生产率。ŽSOLUTION：半导体激光器件在半导体衬底2的表面上具有下包层3，有源层4，上包层5，接触层9和绝缘膜6.此外，上包层5接触层9和绝缘膜6通过蚀刻形成脊12。另外，在半导体衬底2的下表面上形成负电极1，在多层薄膜衬底31的上表面上形成导电材料层7.此外，导电材料层7的厚度为在脊12的侧面处的至少150nm并且脊12具有沙漏横截面的形状。Ž |
| 申请日期 | 2006-06-26 |
| 专利号 | JP2006261706A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | JP2006175906 |
| 公开（公告）号 | JP2006261706A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 酒井 宏明 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73787 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藪▲崎▼ 慶一,大久保 典雄. 半導体装置. JP2006261706A[P]. 2006-09-28. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2006261706A.PDF（107KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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