Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光装置 | |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 西川 幸江; 石川 正行; 斎藤 真司 | |
| 2001-08-17 | |
| 专利权人 | 株式会社東芝 |
| 公开日期 | 2001-10-29 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 注入した電流を効果的に狭窄し得る電流狭窄構造を実現することができ、動作電圧が低く、高信頼性,高発光効率を有するワイドギャップII-VI族化合物半導体による半導体レーザを提供すること。 【構成】 p-GaAs基板11上に成長形成されたIn又はGaを含むバッファ層12〜15と、バッファ層12〜15上に積層形成されたp-ZnSSeクラッド層16,アンドープCdZnSe多重量子井戸活性層18及びn-ZnSSeクラッド層20からなるダブルヘテロ構造部とを備えた半導体レーザにおいて、基板11の表面の一部に(100)面から[011]方向に15°傾斜させた面を形成し、傾斜させた面上のpクラッド層16のキャリア濃度を(100)面上のpクラッド層16のそれよりも大きくしたことを特徴とする。 |
| 其他摘要 | 目的：提供一种由宽间隙II-IV化合物半导体制成的半导体激光器，它可以体现电流结构和较低的工作电压，并提供高可靠性和高发光效率。组成：半导体激光器包括具有缓冲层12至15的双异质结构单元，其包括在p-GaAs衬底11上形成生长的In或Ga和层叠并形成在缓冲层12至15上的pZ缓冲层16未掺杂的CdZnSe多量子阱有源层18和n-ZnSSe覆盖层20.在衬底表面的一部分上形成倾斜15度的表面。在从平面（100）到[011]的方向上。倾斜表面上的p包覆层16的载流子浓度设置为大于表面（100）上的p包覆层16的载流子浓度。 |
| 申请日期 | 1993-09-10 |
| 专利号 | JP3222652B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993225362 |
| 公开（公告）号 | JP3222652B2 |
| IPC 分类号 | H01L | H01S | H01L33/40 | H01S5/327 | H01L33/12 | H01L33/16 | H01L33/06 | H01L33/14 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 鈴江 武彦 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73754 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西川 幸江,石川 正行,斎藤 真司. 半導体発光装置. JP3222652B2[P]. 2001-08-17. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3222652B2.PDF（47KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [西川 幸江]的文章 |
| [石川 正行]的文章 |
| [斎藤 真司]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [西川 幸江]的文章 |
| [石川 正行]的文章 |
| [斎藤 真司]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [西川 幸江]的文章 |
| [石川 正行]的文章 |
| [斎藤 真司]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论