半導体発光素子およびその製造方法

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	半導体発光素子およびその製造方法
其他题名	半導体発光素子およびその製造方法
	冨士原潔
	1998-10-23
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	1998-10-23
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】温度変化による特性変動がほとんどなく、また高い信頼性を有する半導体発光素子を提供する。【解決手段】 p-InP基板401上に、SiO2膜402を堆積し、ストライプマスクを形成し、このマスクを利用してErイオンを注入する。表面のマスクを除去し、エピタキシャル法によりp-InPクラッド層405、InGaAsP導波路層406、InGaAsP井戸層とInGaAsPバリア層からなる量子井戸構造活性領域407、InGaAsP導波路層408、n-InPクラッド層409を積層させる。n-InPクラッド層上にn型電極410を形成し、このn型電極をマスクとして塩素系ガスを用いたイオンビームエッチングにより、InGaAsP導波路層上のn-InPクラッド層をエッチングし、さらにn型電極をマスクとしてErイオンを注入する。この素子は、外部環境の影響を受けにくい4f軌道での電子の遷移を用いた希土類の発光のため、波長の温度変動はほとんどない。
其他摘要	要解决的问题：提供几乎不具有高可靠性的半导体发光元件，而没有由于温度变化引起的特性变化。解决方案：在p-InP衬底401上沉积SiO 2膜402以形成条纹掩模，并且通过使用该掩模注入Er离子。去除表面掩模，并且去除p-InP覆层405，InGaAsP波导层406，由InGaAsP阱层和InGaAsP阻挡层组成的量子阱结构有源区407，InGaAsP波导层408，和通过外延法层叠n-InP包层409。在n-InP包层409上形成n型电极410，并且通过使用该n型电极410作为掩模，通过离子束蚀刻来蚀刻InGaAsP波导层406上的n-InP包层409。使用氯基气体。此外，通过使用n型电极410作为掩模来注入Er离子。在该元件中，由于使用4f轨道中的电子跃迁而难以受外部环境影响的稀土发光，因此波长几乎没有温度变化。
申请日期	1997-04-04
专利号	JP1998284800A
专利状态	失效
申请号	JP1997086392
公开（公告）号	JP1998284800A
IPC 分类号	H01S5/323 \| H01L21/265 \| H01S5/343 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	滝本智之 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73742
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	冨士原潔. 半導体発光素子およびその製造方法. JP1998284800A[P]. 1998-10-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998284800A.PDF（59KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文