一种垂直腔面发射激光器及其制作方法

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	一种垂直腔面发射激光器及其制作方法
其他题名	一种垂直腔面发射激光器及其制作方法
	张祥伟; 刘宝元; 陈靖; 聂亮; 陶禹; 韩峰; 吴玲玲; 郭荣礼
	2018-10-16
专利权人	西安工业大学
公开日期	2018-10-16
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，该激光器包括半导体衬底、主激光器和种子源激光器，所述主激光器包括由下至上依次布设的第一缓冲层、第一N面电流引导层、第一有源区、第一高铝层、第一P型分布式布拉格反射镜层和第一P面电流引导层；该方法包括以下步骤：一、半导体激光器芯片的生长；二、第一氧化限制层的制作；三、第一电流阻挡层、第一N面电极和第一P面电极的制作；四、第二氧化限制层的制作；五、第二电流阻挡层、第二N面电极和第二P面电极的制作。本发明结构简单、设计合理且体积小，通过种子源激光器提高主激光器输出高功率激光光束的光束质量，并能压缩激光线宽，实用性强。
其他摘要	本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，该激光器包括半导体衬底、主激光器和种子源激光器，所述主激光器包括由下至上依次布设的第一缓冲层、第一N面电流引导层、第一有源区、第一高铝层、第一P型分布式布拉格反射镜层和第一P面电流引导层；该方法包括以下步骤：一、半导体激光器芯片的生长；二、第一氧化限制层的制作；三、第一电流阻挡层、第一N面电极和第一P面电极的制作；四、第二氧化限制层的制作；五、第二电流阻挡层、第二N面电极和第二P面电极的制作。本发明结构简单、设计合理且体积小，通过种子源激光器提高主激光器输出高功率激光光束的光束质量，并能压缩激光线宽，实用性强。
申请日期	2018-07-31
专利号	CN108666868A
专利状态	申请中
申请号	CN201810855774.0
公开（公告）号	CN108666868A
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	谭文琰
代理机构	西安创知专利事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73548
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	西安工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	张祥伟,刘宝元,陈靖,等. 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法. CN108666868A[P]. 2018-10-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108666868A.PDF（496KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文