Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种垂直腔面发射激光器及其制作方法 | |
其他题名 | 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
张祥伟; 刘宝元; 陈靖; 聂亮; 陶禹; 韩峰; 吴玲玲; 郭荣礼 | |
2018-10-16 | |
专利权人 | 西安工业大学 |
公开日期 | 2018-10-16 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法,该激光器包括半导体衬底、主激光器和种子源激光器,所述主激光器包括由下至上依次布设的第一缓冲层、第一N面电流引导层、第一有源区、第一高铝层、第一P型分布式布拉格反射镜层和第一P面电流引导层;该方法包括以下步骤:一、半导体激光器芯片的生长;二、第一氧化限制层的制作;三、第一电流阻挡层、第一N面电极和第一P面电极的制作;四、第二氧化限制层的制作;五、第二电流阻挡层、第二N面电极和第二P面电极的制作。本发明结构简单、设计合理且体积小,通过种子源激光器提高主激光器输出高功率激光光束的光束质量,并能压缩激光线宽,实用性强。 |
其他摘要 | 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法,该激光器包括半导体衬底、主激光器和种子源激光器,所述主激光器包括由下至上依次布设的第一缓冲层、第一N面电流引导层、第一有源区、第一高铝层、第一P型分布式布拉格反射镜层和第一P面电流引导层;该方法包括以下步骤:一、半导体激光器芯片的生长;二、第一氧化限制层的制作;三、第一电流阻挡层、第一N面电极和第一P面电极的制作;四、第二氧化限制层的制作;五、第二电流阻挡层、第二N面电极和第二P面电极的制作。本发明结构简单、设计合理且体积小,通过种子源激光器提高主激光器输出高功率激光光束的光束质量,并能压缩激光线宽,实用性强。 |
申请日期 | 2018-07-31 |
专利号 | CN108666868A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201810855774.0 |
公开(公告)号 | CN108666868A |
IPC 分类号 | H01S5/183 |
专利代理人 | 谭文琰 |
代理机构 | 西安创知专利事务所 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73548 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 西安工业大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张祥伟,刘宝元,陈靖,等. 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法. CN108666868A[P]. 2018-10-16. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN108666868A.PDF(496KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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