半导体激光装置

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	半导体激光装置
其他题名	半导体激光装置
	邱舒伟; 马英杰; 林蔚
	2018-06-29
专利权人	联亚光电工业股份有限公司
公开日期	2018-06-29
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开一种半导体激光装置，其包含依序设置的基板、第一型披覆层、第一型波导层、有源层、第二型波导层、第二型披覆层及一封盖层。所述有源层包含发光部及出光部，其中所述发光部用以产生激光，所述激光沿着从所述发光部朝向所述出光部的方向发射，且所述出光部包括第一被动区域、出光区域及第二被动区域，其中所述出光区域的折射率低于所述第一被动区域的折射率，且所述出光区域的折射率低于所述第二被动区域的折射率，且所述出光区域的一部分的宽度是沿着所述方向而连续性增加。本发明的半导体激光装置所发出的激光光束具有较小的远场的垂直光束发散角及水平光束发散角，故与光纤耦合时，可具有优选耦合效率，且大致上不影响光输出效率。
其他摘要	本发明公开一种半导体激光装置，其包含依序设置的基板、第一型披覆层、第一型波导层、有源层、第二型波导层、第二型披覆层及一封盖层。所述有源层包含发光部及出光部，其中所述发光部用以产生激光，所述激光沿着从所述发光部朝向所述出光部的方向发射，且所述出光部包括第一被动区域、出光区域及第二被动区域，其中所述出光区域的折射率低于所述第一被动区域的折射率，且所述出光区域的折射率低于所述第二被动区域的折射率，且所述出光区域的一部分的宽度是沿着所述方向而连续性增加。本发明的半导体激光装置所发出的激光光束具有较小的远场的垂直光束发散角及水平光束发散角，故与光纤耦合时，可具有优选耦合效率，且大致上不影响光输出效率。
申请日期	2017-06-14
专利号	CN108233178A
专利状态	申请中
申请号	CN201710445659.1
公开（公告）号	CN108233178A
IPC 分类号	H01S5/32
专利代理人	翟羽
代理机构	上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73416
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	联亚光电工业股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	邱舒伟,马英杰,林蔚. 半导体激光装置. CN108233178A[P]. 2018-06-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108233178A.PDF（1040KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文