Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半导体激光器 | |
其他题名 | 半导体激光器 |
斯文·格哈德; 艾尔弗雷德·莱尔; 克莱门斯·菲尔海利希; 安德烈亚斯·莱夫勒; 克里斯托夫·艾克勒 | |
2018-06-08 | |
专利权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
公开日期 | 2018-06-08 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 半导体激光器(1)包括半导体层序列(2),所述半导体层序列具有n型传导的n型区域(21)、p型传导的p型区域(23)和位于其之间的用于产生激光辐射的有源区(22)。为了注入电流,直接在p型区域(23)处存在由透明导电氧化物构成的对于激光辐射可穿透的p型接触层(3)。直接在p型接触层(3)处安置有导电的且金属的p型接触结构(4)。p型接触层(3)是外罩层的一部分,使得激光辐射在半导体激光器(1)运行时常规地进入到p型接触层(3)中。半导体层序列(2)的两个棱面(25)形成用于激光辐射的谐振器端面。在直接在棱面(25)中的至少一个棱面处的至少一个电流保护区域(5)中,禁止到p型区域(23)中的电流注入。电流保护区域在垂直于所属的棱面(25)的方向上的扩展为至少0.5μm和最高100μm,并且附加地为用于激光辐射的谐振器长度的最高20%。 |
其他摘要 | 半导体激光器(1)包括半导体层序列(2),所述半导体层序列具有n型传导的n型区域(21)、p型传导的p型区域(23)和位于其之间的用于产生激光辐射的有源区(22)。为了注入电流,直接在p型区域(23)处存在由透明导电氧化物构成的对于激光辐射可穿透的p型接触层(3)。直接在p型接触层(3)处安置有导电的且金属的p型接触结构(4)。p型接触层(3)是外罩层的一部分,使得激光辐射在半导体激光器(1)运行时常规地进入到p型接触层(3)中。半导体层序列(2)的两个棱面(25)形成用于激光辐射的谐振器端面。在直接在棱面(25)中的至少一个棱面处的至少一个电流保护区域(5)中,禁止到p型区域(23)中的电流注入。电流保护区域在垂直于所属的棱面(25)的方向上的扩展为至少0.5μm和最高100μm,并且附加地为用于激光辐射的谐振器长度的最高20%。 |
申请日期 | 2016-09-27 |
专利号 | CN108141010A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201680056018.0 |
公开(公告)号 | CN108141010A |
IPC 分类号 | H01S5/042 | H01S5/16 | H01S5/32 | H01S5/028 | H01S5/323 |
专利代理人 | 丁永凡 | 张春水 |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73381 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 斯文·格哈德,艾尔弗雷德·莱尔,克莱门斯·菲尔海利希,等. 半导体激光器. CN108141010A[P]. 2018-06-08. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN108141010A.PDF(605KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论