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半導体レーザ及びその製造方法
其他题名半導体レーザ及びその製造方法
玉田 仁志; 山口 恭司
1999-06-18
专利权人SONY CORP
公开日期1999-06-18
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】半導体レーザにおけるファーフィールドパターン(FFP:遠視野像)を狭幅化して、光利用効率を向上させる。 【解決手段】レーザ共振器の出射端面外側近傍に、出射レーザ光の光軸に沿ってミラーM1 、M2 を設ける。ミラーM1 、M2 に関する発光点Oの鏡像点O1 、O2 が夫々仮想光源となり、これら3つの光源からの光の干渉及びミラー端開口部での回折により、FFPが整形されて狭幅化する。このFFPの制御は、例えば、発光点Oと各ミラーM1 、M2 との距離によるa、各ミラーM1 、M2 の長さd、及び、各ミラーM1 、M2 の複素反射率rにより行う。一方のミラーM1のみでも、FFPの整形は可能である。
其他摘要要解决的问题:通过允许半导体激光器的远场图案(FFP)更窄来提高光学利用效率。解决方案:在激光谐振器的外部发射端面附近,沿发射的激光的光轴提供反射镜M1和M2。对于反射镜M1和M2的发光点O的镜像点O1和O2作为虚拟光源,并且由于来自三个光源的光的干涉和镜端开口部分形状的衍射,FFP变得更窄在宽度。 FFP的控制例如在发光点O与各反射镜M1和M2之间的距离,各反射镜M1和M2的长度(d)以及各反射镜的复合反射率(r)下进行。 M1和M2。 FFP可以仅用一个镜子M1成形。
申请日期1997-11-27
专利号JP1999163461A
专利状态失效
申请号JP1997325922
公开(公告)号JP1999163461A
IPC 分类号F23G5/033 | F23G5/04 | B09B3/00 | F23G7/12 | F23J1/00 | H01S5/00 | F23G5/02 | H01S3/18
专利代理人逢坂 宏
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73052
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SONY CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
玉田 仁志,山口 恭司. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1999163461A[P]. 1999-06-18.
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JP1999163461A.PDF(56KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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