Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半导体激光二极管 | |
其他题名 | 半导体激光二极管 |
斯文·格哈德; 克里斯托夫·艾克勒; 艾尔弗雷德·莱尔; 贝恩哈德·施托耶茨 | |
2019-08-16 | |
专利权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
公开日期 | 2019-08-16 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 提出一种半导体激光二极管(100),所述半导体激光二极管具有半导体层序列(2),所述半导体层序列具有有源层(3),所述有源层具有主延伸平面并且设计用于,在运行时在有源区域(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)放射,其中有源区域(5)从与光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)沿着纵向方向(93)在主延伸平面中朝向光耦合输出面(6)延伸,其中半导体层序列(2)具有表面区域(20),在所述表面区域上以直接接触的方式施加有连通的接触结构(4),其中接触结构(4)在至少一个第一接触区域(241)中具有与表面区域(20)直接接触的第一电接触材料(41)并且在至少一个第二接触区域(242)中具有与表面区域(20)直接接触的第二电接触材料(42),并且其中第一接触区域和第二接触区域(241,242)彼此邻接。 |
其他摘要 | 提出一种半导体激光二极管(100),所述半导体激光二极管具有半导体层序列(2),所述半导体层序列具有有源层(3),所述有源层具有主延伸平面并且设计用于,在运行时在有源区域(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)放射,其中有源区域(5)从与光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)沿着纵向方向(93)在主延伸平面中朝向光耦合输出面(6)延伸,其中半导体层序列(2)具有表面区域(20),在所述表面区域上以直接接触的方式施加有连通的接触结构(4),其中接触结构(4)在至少一个第一接触区域(241)中具有与表面区域(20)直接接触的第一电接触材料(41)并且在至少一个第二接触区域(242)中具有与表面区域(20)直接接触的第二电接触材料(42),并且其中第一接触区域和第二接触区域(241,242)彼此邻接。 |
申请日期 | 2017-12-21 |
专利号 | CN110140264A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201780081857.2 |
公开(公告)号 | CN110140264A |
IPC 分类号 | H01S5/042 | H01S5/22 | H01S5/323 |
专利代理人 | 丁永凡 | 张春水 |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72547 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 斯文·格哈德,克里斯托夫·艾克勒,艾尔弗雷德·莱尔,等. 半导体激光二极管. CN110140264A[P]. 2019-08-16. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN110140264A.PDF(1042KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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