一种基于VCSEL技术的Micro LD的装置

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	一种基于VCSEL技术的Micro LD的装置
其他题名	一种基于VCSEL技术的Micro LD的装置
	孙雷
	2019-07-09
专利权人	北京德瑞工贸有限公司
公开日期	2019-07-09
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种基于VCSEL技术的Micro LD的装置，通过计算机控制MOS集成电路(有源矩阵)，MOS集成电路能分别控制微小的激光二极管阵列中的每一个VCSEL垂直腔面发射激光二极管开关和强弱，最终形成图像。Micro LD与Micro LED相比具有单位面积上更大的光强、更好的方向性与更好的相干性，在工业领域和显示领域有更广阔的应用前景。
其他摘要	本发明公开了一种基于VCSEL技术的Micro LD的装置，通过计算机控制MOS集成电路(有源矩阵)，MOS集成电路能分别控制微小的激光二极管阵列中的每一个VCSEL垂直腔面发射激光二极管开关和强弱，最终形成图像。Micro LD与Micro LED相比具有单位面积上更大的光强、更好的方向性与更好的相干性，在工业领域和显示领域有更广阔的应用前景。
申请日期	2017-12-29
专利号	CN109994050A
专利状态	申请中
申请号	CN201711499330.X
公开（公告）号	CN109994050A
IPC 分类号	G09F9/33
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72510
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京德瑞工贸有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	孙雷. 一种基于VCSEL技术的Micro LD的装置. CN109994050A[P]. 2019-07-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109994050A.PDF（477KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文