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半导体激光器
Alternative Title半导体激光器
林宏翔; 刘佟; 崔晗; 蔡昭权; 魏晓慧
2019-04-16
Rights Holder惠州学院
Date Available2019-04-16
Country中国
Subtype发明申请
Abstract本发明涉及一种半导体激光器,定义一XYZ空间直角坐标系,则该半导体激光器包括:位于Z轴方向前方和后方的电极;用于在电极通电时产生激光的有源区;位于有源层的Z轴方向前方和后方以及位于有源区周侧的波导层;以及位于波导层的Y轴方向前方和后方的反射层,所述半导体激光器的激光射出口形成在位于Y轴方向前方的反射层上。其中,所述有源区的Y轴方向的前方和后方中的至少一个方向上还形成有用于将偏振方向平行于X轴方向的激光筛选出来的布儒斯特窗。本发明的半导体激光器能够直接输出线偏振激光,无需再外部添加光学器件,结构简单,除作为激光器使用外,本发明的半导体激光器结构还可以应用于介质激光加速器的使用。
Other Abstract本发明涉及一种半导体激光器,定义一XYZ空间直角坐标系,则该半导体激光器包括:位于Z轴方向前方和后方的电极;用于在电极通电时产生激光的有源区;位于有源层的Z轴方向前方和后方以及位于有源区周侧的波导层;以及位于波导层的Y轴方向前方和后方的反射层,所述半导体激光器的激光射出口形成在位于Y轴方向前方的反射层上。其中,所述有源区的Y轴方向的前方和后方中的至少一个方向上还形成有用于将偏振方向平行于X轴方向的激光筛选出来的布儒斯特窗。本发明的半导体激光器能够直接输出线偏振激光,无需再外部添加光学器件,结构简单,除作为激光器使用外,本发明的半导体激光器结构还可以应用于介质激光加速器的使用。
Application Date2019-01-08
Patent NumberCN109638640A
Status申请中
Application NumberCN201910015103.8
Open (Notice) NumberCN109638640A
IPC Classification NumberH01S5/042 | H01S5/062 | H01S5/125
Patent Agent韩淑英
Agency惠州创联专利代理事务所(普通合伙)
Document Type专利
Identifierhttp://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72440
Collection半导体激光器专利数据库
Affiliation惠州学院
Recommended Citation
GB/T 7714
林宏翔,刘佟,崔晗,等. 半导体激光器. CN109638640A[P]. 2019-04-16.
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CN109638640A.PDF(403KB)专利 开放获取CC BY-NC-SAApplication Full Text
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