半导体激光器

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半导体激光器
Alternative Title	半导体激光器
	林宏翔; 刘佟; 崔晗; 蔡昭权; 魏晓慧
	2019-04-16
Rights Holder	惠州学院
Date Available	2019-04-16
Country	中国
Subtype	发明申请
Abstract	本发明涉及一种半导体激光器，定义一XYZ空间直角坐标系，则该半导体激光器包括：位于Z轴方向前方和后方的电极；用于在电极通电时产生激光的有源区；位于有源层的Z轴方向前方和后方以及位于有源区周侧的波导层；以及位于波导层的Y轴方向前方和后方的反射层，所述半导体激光器的激光射出口形成在位于Y轴方向前方的反射层上。其中，所述有源区的Y轴方向的前方和后方中的至少一个方向上还形成有用于将偏振方向平行于X轴方向的激光筛选出来的布儒斯特窗。本发明的半导体激光器能够直接输出线偏振激光，无需再外部添加光学器件，结构简单，除作为激光器使用外，本发明的半导体激光器结构还可以应用于介质激光加速器的使用。
Other Abstract	本发明涉及一种半导体激光器，定义一XYZ空间直角坐标系，则该半导体激光器包括：位于Z轴方向前方和后方的电极；用于在电极通电时产生激光的有源区；位于有源层的Z轴方向前方和后方以及位于有源区周侧的波导层；以及位于波导层的Y轴方向前方和后方的反射层，所述半导体激光器的激光射出口形成在位于Y轴方向前方的反射层上。其中，所述有源区的Y轴方向的前方和后方中的至少一个方向上还形成有用于将偏振方向平行于X轴方向的激光筛选出来的布儒斯特窗。本发明的半导体激光器能够直接输出线偏振激光，无需再外部添加光学器件，结构简单，除作为激光器使用外，本发明的半导体激光器结构还可以应用于介质激光加速器的使用。
Application Date	2019-01-08
Patent Number	CN109638640A
Status	申请中
Application Number	CN201910015103.8
Open (Notice) Number	CN109638640A
IPC Classification Number	H01S5/042 \| H01S5/062 \| H01S5/125
Patent Agent	韩淑英
Agency	惠州创联专利代理事务所(普通合伙)
Document Type	专利
Identifier	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72440
Collection	半导体激光器专利数据库
Affiliation	惠州学院
Recommended Citation GB/T 7714	林宏翔,刘佟,崔晗,等. 半导体激光器. CN109638640A[P]. 2019-04-16.

Files in This Item:
File Name/Size	DocType	Version	Access	License
CN109638640A.PDF（403KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	Application Full Text

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院西安光学精密机械研究所机构知识库