半导体激光器

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	半导体激光器
其他题名	半导体激光器
	林宏翔; 刘佟; 崔晗; 蔡昭权; 魏晓慧
	2019-04-16
专利权人	惠州学院
公开日期	2019-04-16
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种半导体激光器，定义一XYZ空间直角坐标系，则该半导体激光器包括：位于Z轴方向前方和后方的电极；用于在电极通电时产生激光的有源区；位于有源层的Z轴方向前方和后方以及位于有源区周侧的波导层；以及位于波导层的Y轴方向前方和后方的反射层，所述半导体激光器的激光射出口形成在位于Y轴方向前方的反射层上。其中，所述有源区的Y轴方向的前方和后方中的至少一个方向上还形成有用于将偏振方向平行于X轴方向的激光筛选出来的布儒斯特窗。本发明的半导体激光器能够直接输出线偏振激光，无需再外部添加光学器件，结构简单，除作为激光器使用外，本发明的半导体激光器结构还可以应用于介质激光加速器的使用。
其他摘要	本发明涉及一种半导体激光器，定义一XYZ空间直角坐标系，则该半导体激光器包括：位于Z轴方向前方和后方的电极；用于在电极通电时产生激光的有源区；位于有源层的Z轴方向前方和后方以及位于有源区周侧的波导层；以及位于波导层的Y轴方向前方和后方的反射层，所述半导体激光器的激光射出口形成在位于Y轴方向前方的反射层上。其中，所述有源区的Y轴方向的前方和后方中的至少一个方向上还形成有用于将偏振方向平行于X轴方向的激光筛选出来的布儒斯特窗。本发明的半导体激光器能够直接输出线偏振激光，无需再外部添加光学器件，结构简单，除作为激光器使用外，本发明的半导体激光器结构还可以应用于介质激光加速器的使用。
申请日期	2019-01-08
专利号	CN109638640A
专利状态	申请中
申请号	CN201910015103.8
公开（公告）号	CN109638640A
IPC 分类号	H01S5/042 \| H01S5/062 \| H01S5/125
专利代理人	韩淑英
代理机构	惠州创联专利代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72440
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	惠州学院
推荐引用方式 GB/T 7714	林宏翔,刘佟,崔晗,等. 半导体激光器. CN109638640A[P]. 2019-04-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109638640A.PDF（403KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文