半导体激光二极管

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	半导体激光二极管
其他题名	半导体激光二极管
	斯文·格哈德; 克里斯托夫·艾希勒; 克里斯蒂安·鲁姆博尔茨
	2019-02-26
专利权人	欧司朗光电半导体有限公司
公开日期	2019-02-26
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种半导体激光二极管，所述半导体激光二极管具有半导体层序列，所述半导体层序列具有至少一个有源层和脊波导结构，所述脊波导结构具有脊部，所述脊部沿纵向方向从光耦合输出面延伸至后侧面并且所述脊部在垂直于纵向方向的横向方向上通过脊部侧面限界，其中脊部具有第一区域和在垂直于纵向和横向方向的竖直方向上邻接于所述第一区域的第二区域，其中脊部在第一区域中具有第一半导体材料并且在第二区域中具有至少一种与第一半导体材料不同的第二半导体材料，其中脊部在第一区域中具有第一宽度，并且其中脊部在第二区域中具有第二宽度，所述第二宽度大于第一宽度。
其他摘要	本发明涉及一种半导体激光二极管，所述半导体激光二极管具有半导体层序列，所述半导体层序列具有至少一个有源层和脊波导结构，所述脊波导结构具有脊部，所述脊部沿纵向方向从光耦合输出面延伸至后侧面并且所述脊部在垂直于纵向方向的横向方向上通过脊部侧面限界，其中脊部具有第一区域和在垂直于纵向和横向方向的竖直方向上邻接于所述第一区域的第二区域，其中脊部在第一区域中具有第一半导体材料并且在第二区域中具有至少一种与第一半导体材料不同的第二半导体材料，其中脊部在第一区域中具有第一宽度，并且其中脊部在第二区域中具有第二宽度，所述第二宽度大于第一宽度。
申请日期	2018-08-13
专利号	CN109390844A
专利状态	申请中
申请号	CN201810915857.4
公开（公告）号	CN109390844A
IPC 分类号	H01S5/22
专利代理人	张春水 \| 王逸君
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72371
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	欧司朗光电半导体有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	斯文·格哈德,克里斯托夫·艾希勒,克里斯蒂安·鲁姆博尔茨. 半导体激光二极管. CN109390844A[P]. 2019-02-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109390844A.PDF（743KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文