Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 別所 靖之 | |
| 2009-06-04 | |
| 专利权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 公开日期 | 2009-06-04 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】小型化を図りながら放熱性が低下することを抑制し、かつ、高速応答性を向上させることが可能な半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】この半導体レーザ装置1は、ヘッダ6と、ヘッダ6に取り付けられるサブマウント7と、サブマウント7に取り付けられる半導体レーザ素子部8と、リード3とを備えている。また、半導体レーザ装置1では、半導体レーザ素子部8からのレーザ光の出射方向を矢印Z1方向(前方)とした場合に、リード3の前端部3aは、サブマウント7の矢印Z2方向(後方)側の表面7aよりも矢印Z2方向(後方)に配置され、サブマウント7の半導体レーザ素子部8と電気的に接続された電極7cは、リード3の前端部3aとAuワイヤ100により接続されている。 【選択図】図1 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种能够抑制热辐射减少的半导体激光装置，同时旨在抑制尺寸减小，并改善高速响应。ŽSOLUTION：半导体激光装置1包括头部6;附接到头部6的基座7;半导体激光元件部分8安装在基座7上;在半导体激光装置1中，当来自半导体激光元件部分8的激光束的发射方向是箭头标记Z1（正面）时，引线3的第一前端3a布置在半导体激光器装置1中。箭头标记Z2方向（后侧）超过基座7的箭头标记Z2侧（后侧）的表面7a，并且电连接到基座7的半导体激光元件部分8的电极7c连接到引线3的前端3a通过Au线100 |
| 申请日期 | 2008-10-16 |
| 专利号 | JP2009124119A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2008267164 |
| 公开（公告）号 | JP2009124119A |
| IPC 分类号 | H01S5/022 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | ▲角▼谷 浩 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71821 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 別所 靖之. 半導体レーザ装置. JP2009124119A[P]. 2009-06-04. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2009124119A.PDF（155KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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