Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 光半導体素子及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 光半導体素子及びその製造方法 |
| 北谷 健; 土屋 朋信; 牧野 茂樹; 深町 俊彦 | |
| 2010-02-04 | |
| 专利权人 | OPNEXT JAPAN INC |
| 公开日期 | 2010-02-04 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 Ruドーピング半絶縁半導体層を用いた埋め込み型光半導体素子の実用化のため、水素の大量に存在する成長環境下においても、より絶縁性の高いRuドーピング半絶縁半導体層を再現よく、容易に形成する。 【解決手段】 Ruドーピング半絶縁半導体層の成長時に、化合物半導体の原料ガス、キャリアガスとは別に、ハロゲン原子を含有するガスを水素と同時に添加することで、Ruと水素との結合を抑制することで実現する。 【選択図】図2 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：即使在存在大量氢的生长环境中也能够容易地形成具有更高绝缘性且具有高再现性的Ru掺杂半绝缘半导体层，以便实际使用使用Ru掺杂半导体的掩埋型光学半导体元件绝缘半导体层。解决方案：在Ru掺杂半绝缘半导体层的生长期间，含有卤素原子的气体与氢同时独立于化合物半导体和载气的原料气体添加，以抑制Ru和氢之间的键合。Ž |
| 申请日期 | 2008-07-23 |
| 专利号 | JP2010027936A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2008189279 |
| 公开（公告）号 | JP2010027936A |
| IPC 分类号 | H01L21/205 | H01S5/227 | H01S5/323 | H01S5/00 | H01L21/02 |
| 专利代理人 | 井上 学 | 戸田 裕二 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71807 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OPNEXT JAPAN INC |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 北谷 健,土屋 朋信,牧野 茂樹,等. 光半導体素子及びその製造方法. JP2010027936A[P]. 2010-02-04. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2010027936A.PDF（185KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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