Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
| 矢島 浩義; 長谷川 義晃; 木戸口 勲; 北岡 康夫 | |
| 2006-04-13 | |
| 专利权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 公开日期 | 2006-04-13 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】GaN系レーザにおいて、薄型PC等に搭載可能な薄型で放熱性に優れたレーザパッケージを実現し、且つ光学部品等を最小限に留めた低コストの光ピックアップでの構成を提供することを目的とする。 【解決手段】長手方向を有するキャン6と、キャン6の主面側に位置する、積層構造を持つ窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子1と、を有し、前記キャン6の長手方向と、前記窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子1の積層方向が同一方向であることを特徴とするように構成したものである。これにより、薄型化·高放熱の半導体レーザ装置および光ピックアップ装置を実現できる。 【選択図】図1 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：实现薄型且散热性优异的激光器封装，可以安装在GaN激光器中的薄型PC上，并提供廉价且光学元件数量减少的光学拾取器结构越多越好。ŽSOLUTION：半导体激光装置具有长度方向的罐6和具有层叠结构的氮化镓基化合物半导体激光元件1，该层叠结构位于罐6的主表面侧，并且长度方向位于罐6的长度方向上。因此，可以实现厚度小且散热性优异的半导体激光装置和光学拾取装置。Ž |
| 申请日期 | 2004-09-28 |
| 专利号 | JP2006100376A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2004281831 |
| 公开（公告）号 | JP2006100376A |
| IPC 分类号 | G11B7/125 | H01S5/022 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 岩橋 文雄 | 坂口 智康 | 内藤 浩樹 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71672 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 矢島 浩義,長谷川 義晃,木戸口 勲,等. 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置. JP2006100376A[P]. 2006-04-13. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2006100376A.PDF（152KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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