分布帰還型半導体レーザの製造方法

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	分布帰還型半導体レーザの製造方法
其他题名	分布帰還型半導体レーザの製造方法
	中山久志; 鬼頭雅弘; 小河晴樹
	2004-03-04
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	2004-03-04
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】単一波長発振する温度範囲を従来よりも広範囲にする。【解決手段】複数の溝102が形成されたInP基板101上に、AsH3とPH3を含む混合気体中で昇温しながら、InAsPの半導体混晶からなる回折格子103、及びInGaAsPの半導体混晶からなる活性層105を順次形成する際、InAsP半導体混晶の形成時のPH3分圧を、InGaAsP半導体混晶の形成時のPH3分圧より大きくすることによって、InAsP回折格子のサイズを大きくすることができる。その結果、活性層の平坦性を損なうことなく活性層と回折格子を近接して設定できるので、活性層と回折格子の光の結合係数を大きくすることができ、単一波長発振する温度範囲を従来よりも広範囲にすることができる。【選択図】図1
其他摘要	本发明公开了更宽范围比常规的温度范围为单一波长振荡。上具有多个凹槽102的InP衬底101上形成，灰分<子> 3 和PH <子> 3 而升高温度的混合气体中含有，INASP衍射光栅103由半导体混晶的，并且有源层105制成的InGaAsP半导体混晶的当顺序地形成，最小压力的形成的期间INASP半导体混晶PH <子> 3，PH <子> 3的InGaAsP半导体混晶的形成过程中分比压力大由此，能够提高INASP衍射光栅的大小。其结果是，可以在靠近所述有源层和所述衍射光栅，而不损害活性层的平坦度来设定，所以能够提高光栅的光的衍射的耦合系数和有源层，该温度范围为单一波长振荡它可以制成更宽的范围比常规的。发明背景
申请日期	2002-08-02
专利号	JP2004071678A
专利状态	失效
申请号	JP2002225788
公开（公告）号	JP2004071678A
IPC 分类号	H01S5/12 \| H01S5/00
专利代理人	岩橋文雄 \| 坂口智康 \| 内藤浩樹
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71605
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	中山久志,鬼頭雅弘,小河晴樹. 分布帰還型半導体レーザの製造方法. JP2004071678A[P]. 2004-03-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2004071678A.PDF（103KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文