Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 吉田 浩; 浅野 竹春 | |
| 2000-06-16 | |
| 专利权人 | ソニー株式会社 |
| 公开日期 | 2000-06-16 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 低消費電力化および高出力動作時の単一モード化を図ることができ、しかも熱放散性に優れた、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザを提供する。 【解決手段】 リッジ形状のストライプを有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、リッジの両側の部分を、活性層16のバンドギャップ以下のバンドギャップを有する第1の窒化物系III-V族化合物半導体層と活性層16のバンドギャップより大きい第2の窒化物系III-V族化合物半導体層とを少なくとも含む埋め込み半導体層20により埋め込む。第1の窒化物系III-V族化合物半導体層は例えばInx Ga1-x N層20a、第2の窒化物系III-V族化合物半導体層は例えばAlz Ga1-z N層20bである。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供使用氮化物基III-V族化合物半导体的半导体激光器，其可以实现更低的功耗，并且在高输出操作下具有单一模式，具有优异的散热性。解决方案：在使用在脊中具有条纹的氮化物基III-V族化合物半导体的半导体激光器中，脊的两侧通过包含至少第一氮化物基III-V族化合物半导体层的嵌入半导体层20嵌入。带隙等于或小于有源层16和带隙等于或大于有源层16的带隙的第二氮化物基III-V族化合物半导体层的带隙。第一氮化物基带III-V族化合物半导体层例如是In x Ga 1-x N层20a。第二氮化物基III-V族化合物半导体层是AlzGa1-zN层20b。 |
| 申请日期 | 1998-11-26 |
| 专利号 | JP2000164985A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998335850 |
| 公开（公告）号 | JP2000164985A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01S5/343 | H01S5/227 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 杉浦 正知 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71498 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉田 浩,浅野 竹春. 半導体レーザ. JP2000164985A[P]. 2000-06-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000164985A.PDF（63KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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