窒化ガリウム系半導体の製造方法

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	窒化ガリウム系半導体の製造方法
其他题名	窒化ガリウム系半導体の製造方法
	長谷川義晃; 石橋明彦; 上村信行; 原義博; 粂雅博; 伴雄三郎
	1998-06-02
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	1998-06-02
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】低転位密度,低歪の高品質GaN結晶の成長方法を提供する。【解決手段】サファイア基板60上でAlxGa1-xNバッファ層63を成長することにより、サファイア基板60とGaN層62の熱膨張係数差による歪を緩和することができるため、従来よりも転位密度を約1/100(107cm-2)、歪を約1/50(8×107dyn/cm2)に低減した高品質GaN系発光素子を製造することができる。特にバッファ層63の組成をx=0.12、膜厚を2μm以上とした場合には、最大限の歪低減と転位同士の相互消滅作用も生じるため、この効果が顕著に現れる。また、クラックの発生も抑制され製造歩留りの向上に大きく寄与する。これにより、電気的,光学的特性に優れた高品質GaN系発光素子がサファイア基板で製造することが可能になる。
其他摘要	要解决的问题：提供具有低位错密度和低应变的高质量GaN晶体的生长方法。解决方案：通过在蓝宝石衬底60上生长Al x Ga 1-x N缓冲层63，蓝宝石衬底60和GaN层62的热膨胀系数位错密度约为1/100（10 7 cm 2），应变约为1/50可以制造高质量的GaN基发光器件，其降低至8×10 7 dyn / cm 2）。特别地，当缓冲层63的组成为x = 0.12并且膜厚度为2μm或更大时，也发生应变的最大减小和位错的相互湮灭的效果，因此该效果显着出现。此外，还抑制了裂缝的发生，这极大地有助于提高产量。结果，可以制造具有蓝宝石衬底的电学和光学特性优异的高质量GaN基发光器件。
申请日期	1996-11-21
专利号	JP1998150245A
专利状态	失效
申请号	JP1996310333
公开（公告）号	JP1998150245A
IPC 分类号	H01L33/34 \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01L33/12 \| H01L33/06 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L21/205 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	滝本智之 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71334
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	長谷川義晃,石橋明彦,上村信行,等. 窒化ガリウム系半導体の製造方法. JP1998150245A[P]. 1998-06-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998150245A.PDF（42KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文