半導体装置の製造方法

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	半導体装置の製造方法
其他题名	半導体装置の製造方法
	山崎正夫; 滝沢裕二; 八橋利光
	2001-08-10
专利权人	シャープ株式会社
公开日期	2001-10-22
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】発光ダイオードを効率よく製造することができ、しかも、安定したダイボンド強度およびオーミックコンタクトが得られる。【解決手段】シリコン基板12における相対向する表面に、融点の異なる導電性のロウ材13および14をそれぞれ設けて、そのシリコン基板12を、高融点のロウ材13を介してステム11上に載置するとともに、シリコン基板12の他方の低融点のロウ材14を介して発光ダイオード素子15を載置する。そして、ステム11をヒーターによって加熱しつつ、発光ダイオード素子15をステム11に押し付ける。ステム11に接するロウ材13は高融点になっているために、他方の低融点のロウ材14とほぼ同時に溶融されて、ステム11とシリコン基板12とがダイボンディングされて共晶接合されると同時に、シリコン基板12と半導体素子とがダイボンディングされて共晶接合される。
其他摘要	要解决的问题：能够有效地制造发光二极管并提供稳定的芯片键合强度和欧姆接触。解决方案：在硅衬底12的相对表面上提供具有不同熔点的导电焊料13和14.硅衬底12通过具有高熔点的焊料13和发光二极管设置在杆11上元件15通过硅衬底12上具有低熔点的其它焊接材料14设置。当通过加热器加热杆11时，发光二极管15被压到杆11上。由于焊接材料13在与杆11的接触具有高熔点，它与具有低熔点的其它焊料14基本上同时熔化，使得杆11和硅衬底12被芯片键合以形成共晶结，并且同时，硅衬底12和半导体元件被管芯键合以形成共晶结。
申请日期	1996-05-24
专利号	JP3220638B2
专利状态	失效
申请号	JP1996129567
公开（公告）号	JP3220638B2
IPC 分类号	H01L \| H01S \| H01S5/00 \| H01L21/52
专利代理人	倉内義朗
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71314
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	山崎正夫,滝沢裕二,八橋利光. 半導体装置の製造方法. JP3220638B2[P]. 2001-08-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3220638B2.PDF（15KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文