Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半導体装置の製造方法 | |
其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
山崎 正夫; 滝沢 裕二; 八橋 利光 | |
2001-08-10 | |
专利权人 | シャープ株式会社 |
公开日期 | 2001-10-22 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 【課題】発光ダイオードを効率よく製造することができ、しかも、安定したダイボンド強度およびオーミックコンタクトが得られる。 【解決手段】シリコン基板12における相対向する表面に、融点の異なる導電性のロウ材13および14をそれぞれ設けて、そのシリコン基板12を、高融点のロウ材13を介してステム11上に載置するとともに、シリコン基板12の他方の低融点のロウ材14を介して発光ダイオード素子15を載置する。そして、ステム11をヒーターによって加熱しつつ、発光ダイオード素子15をステム11に押し付ける。ステム11に接するロウ材13は高融点になっているために、他方の低融点のロウ材14とほぼ同時に溶融されて、ステム11とシリコン基板12とがダイボンディングされて共晶接合されると同時に、シリコン基板12と半導体素子とがダイボンディングされて共晶接合される。 |
其他摘要 | 要解决的问题:能够有效地制造发光二极管并提供稳定的芯片键合强度和欧姆接触。解决方案:在硅衬底12的相对表面上提供具有不同熔点的导电焊料13和14.硅衬底12通过具有高熔点的焊料13和发光二极管设置在杆11上元件15通过硅衬底12上具有低熔点的其它焊接材料14设置。当通过加热器加热杆11时,发光二极管15被压到杆11上。由于焊接材料13在与杆11的接触具有高熔点,它与具有低熔点的其它焊料14基本上同时熔化,使得杆11和硅衬底12被芯片键合以形成共晶结,并且同时,硅衬底12和半导体元件被管芯键合以形成共晶结。 |
申请日期 | 1996-05-24 |
专利号 | JP3220638B2 |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1996129567 |
公开(公告)号 | JP3220638B2 |
IPC 分类号 | H01L | H01S | H01S5/00 | H01L21/52 |
专利代理人 | 倉内 義朗 |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71314 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | シャープ株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 山崎 正夫,滝沢 裕二,八橋 利光. 半導体装置の製造方法. JP3220638B2[P]. 2001-08-10. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP3220638B2.PDF(15KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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