Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザユニット | |
| 其他题名 | 半導体レーザユニット |
| 高森 晃; 小河 晴樹; 大仲 清司 | |
| 1997-03-07 | |
| 专利权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 公开日期 | 1997-03-07 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 熱抵抗の低い半導体レーザユニットを提供する。 【構成】 シリコン基板101と半導体レーザチップ102の間のメッキ層108の膜厚を10μm以上にする。さらにメッキ層108の面積をレーザチップ102のボンディング面積よりも大きくする。これにより、レーザチップ102からの発熱を効率よくシリコン基板101に伝えることができる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供热阻低的半导体激光器单元解决方案：硅衬底101和半导体激光器芯片102之间的镀层108的膜厚度设定为10μm或更高。另外，使镀层108的面积大于激光芯片102的接合面积。由此，从激光芯片102产生的热量可以高效地传递到硅基板101。 |
| 申请日期 | 1995-08-24 |
| 专利号 | JP1997064470A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1995215845 |
| 公开（公告）号 | JP1997064470A |
| IPC 分类号 | H01L23/29 | H01S5/00 | H01L23/31 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 滝本 智之 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71274 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高森 晃,小河 晴樹,大仲 清司. 半導体レーザユニット. JP1997064470A[P]. 1997-03-07. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997064470A.PDF（45KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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