半導体レーザ装置

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	半導体レーザ装置
其他题名	半導体レーザ装置
	小川勝; 八尾和幸; 市川英樹; 増井克栄
	1996-01-19
专利权人	シャープ株式会社
公开日期	1996-01-19
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】ワイヤボンディング作業時、キャピラリの接近方向を変える等の操作が不要で、しかも受光素子の出力を大きくできるとともに、装置全体の小型化を図れる半導体レーザ装置を実現する。【構成】半導体レーザチップ5から出射されるモニター光を、受光素子6のキャリア拡散面と直交する方向の側面部で受光してなることを特徴とする。また、半導体レーザチップ5と受光素子6とを同一実装面上に搭載し、且つ受光素子6のキャリア拡散層の深さを10μm以上とすることを特徴とする。また、受光素子32のキャリア拡散層33側を実装面にダイボンドしてなることを特徴とする。この構造において、受光素子のキャリア拡散層の深さを、少なくとも半導体レーザチップ31の実装面から発光点までの距離以上に設けてなることを特徴とする。
其他摘要	目的：实现一种半导体激光器，其中在引线键合工作时消除了改变毛细管接近方向的操作，并且在减小整体尺寸的同时增加了光接收元件的输出。组成：从半导体激光芯片5发出的监控光由垂直交叉载波扩散面的侧面上的光接收元件6接收。半导体激光器芯片5安装在与光接收元件6相同的一侧，并且其载流子扩散层设置为10μm或更深。光接收元件在其载流子扩散层侧与管安装面芯片接合。在该结构中，光接收元件的载流子扩散层设置得比半导体激光器芯片安装面和发射点之间的距离更深。
申请日期	1994-06-30
专利号	JP1996018151A
专利状态	失效
申请号	JP1994149137
公开（公告）号	JP1996018151A
IPC 分类号	H01S5/02 \| H01S5/026 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	梅田勝
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71227
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	小川勝,八尾和幸,市川英樹,等. 半導体レーザ装置. JP1996018151A[P]. 1996-01-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1996018151A.PDF（64KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文