光半導体素子の製造方法

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	光半導体素子の製造方法
其他题名	光半導体素子の製造方法
	黒田尚孝
	1994-11-08
专利权人	日本電気株式会社
公开日期	1994-11-08
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】選択成長マスクとして従来使用されたSiO2 やSiNX を用いると、成長温度が低い場合やMOVPEにおいては成長圧力が高い場合やマスク面積が広い場合には、その上に多結晶が堆積する。多結晶の堆積のない選択成長可能条件を更に広げる。【構成】従来のマスクを用いると膜には未結合手が存在し、これがマスク上に飛来した3族、5族原料の吸着種と結合し、多結晶堆積の一因となる。MBE成長によるMoSe2 からなるマスク21を用いると、膜表面には未結合手が存在しないため膜上の3族5族原料の吸着種との結合が起こらず選択性が向上することが期待される。MOVPEでは、より高い成長圧力でも選択成長が可能となり、300Torr以上で選択成長を行うことにより従来よりもマスク幅によるMQW構造の波長変化が広がる。選択成長で形成したDFBレーザと半導体光変調器を集積した素子においては損失が低減し変調帯域が拡大する。
其他摘要	目的：当生长温度低时，当MOVPE中的生长压力高或掩模面积大时，如果使用迄今为止使用的SiO 2或SiNX作为选择性生长的掩模并进一步延长选择性生长条件而不沉积，则沉积多晶多晶。组成：当使用传统的掩模时，薄膜有一个未耦合的手，它与第III组的吸附物质耦合，V物质在掩模上方飞行以引起多晶的沉积。当使用通过MBE生长由MoSe2制成的掩模21时，在膜的表面上不存在未偶联的手，因此不会发生与膜上的III，V族材料的吸附物质的偶联以期望提高选择性。即使在较高的生长压力下MOVPE也可以选择性地生长，并且选择性地生长在300Torr或更高，从而与现有技术相比，由于掩模宽度而延长了MQW结构的波长变化。在其中集成了选择性生长的DFB激光器和半导体光调制器的元件中的损耗减小，从而增加调制频带。
申请日期	1993-03-17
专利号	JP1994314657A
专利状态	失效
申请号	JP1993056643
公开（公告）号	JP1994314657A
IPC 分类号	H01S5/026 \| G02F1/025 \| H01L21/203 \| H01S5/20 \| H01S5/00 \| H01L21/205 \| H01S3/18
专利代理人	京本直樹 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71175
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電気株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	黒田尚孝. 光半導体素子の製造方法. JP1994314657A[P]. 1994-11-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1994314657A.PDF（42KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文