Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 大石 敏之; 大村 悦司 | |
| 1999-04-02 | |
| 专利权人 | 三菱電機株式会社 |
| 公开日期 | 1999-06-21 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 レーザ駆動電流の変化によるレーザアレイチップの温度変化を精度よく検出し制御して、レーザ特性を変動させる熱的クロストークを低減する。 【構成】 レーザアレイチップ1の下方のメッキ層1aとチップキャリア5との間にサーミスタ40を設け、レーザアレイチップ1の温度変化を検出する。 |
| 其他摘要 | 目的：通过在具有多个激光器阵列芯片的激光器阵列芯片的后表面侧上提供紧密粘附的温度检测部件，精确地检测激光器阵列芯片的温度变化并控制热电冷却元件以减少热冲程。其表面上的振荡区域。组成：激光阵列芯片1的温度变化通过激光阵列芯片1，并通过镀层1a到达热敏电阻40。与热敏电阻40连接的端子15和16之间的电阻随热敏电阻40的温度变化而变化。例如，利用电桥电路检测电阻的变化，然后通过使用检测的电阻与参考电阻进行比较。一个运算放大器，将所得物输入到热电冷却元件驱动电路中，以控制流过热电冷却元件6的电流。由此，热敏电阻40和位于其上部的激光器阵列芯片1的温度为控制保持恒定并提供稳定的激光特性。 |
| 申请日期 | 1992-02-17 |
| 专利号 | JP2908111B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992069693 |
| 公开（公告）号 | JP2908111B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S3/04 | H01S5/024 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 早瀬 憲一 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71114 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大石 敏之,大村 悦司. 半導体レーザ装置. JP2908111B2[P]. 1999-04-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2908111B2.PDF（65KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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