Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser | |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| SHIGENO KAZUO | |
| 1992-11-25 | |
| 专利权人 | NEC CORP |
| 公开日期 | 1992-11-25 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To reduce a parasitic inductance of a wiring and to simultaneously obtain cooling capacity in a semiconductor laser having a Peltier element for high speed response operation. CONSTITUTION:An insulating board 5 is placed on a metal base 4 mounted on a Peltier element, and a semiconductor laser 1 is coupled to a signal input line 10 by a bonding wire 7 via a strip line 6. Both characteristics in which an S21 parameter is 4GHz and a cooling capacity is 45 deg.C, are simultaneously performed. |
| 其他摘要 | 目的：降低布线的寄生电感，同时获得具有珀耳帖元件的半导体激光器的冷却能力，以实现高速响应操作。组成：绝缘板5放置在安装在帕尔贴元件上的金属底座4上，半导体激光器1通过键合线7通过带状线6耦合到信号输入线10.两个特性，其中S21参数是4GHz，冷却能力是45℃，同时进行。 |
| 申请日期 | 1991-05-15 |
| 专利号 | JP1992337688A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991110085 |
| 公开（公告）号 | JP1992337688A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71058 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SHIGENO KAZUO. Semiconductor laser. JP1992337688A[P]. 1992-11-25. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1992337688A.PDF（121KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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